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池添 康正; 佐藤 章一
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 48(11), p.3111 - 3113, 1975/11
被引用回数:6窒素-エチレン系からのシアン化水素の生成を調べた。
線、(n+
)線照射では高圧でG(HLN)値が減少するのに対して、核分裂片(FF)照射では逆に増大することがわかった。このFF照射による特異な圧力依存性は反応(5)がFF飛跡中で起こっているためであると推論された。 N
e
2N (5)
池添 康正; 佐藤 章一; 団野 晧文
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 46(4), p.1154 - 1158, 1973/04
窒素-エチレン系からの放射線によるシアン化水素生成が、吸収線量、照射温度、ガス密度、ガス組成、反応容器の壁面等に依存することを見出した。高温においては、G(HCN)値は全ガス密度が小さいと大きくなる。室温においては、エチレン分圧が高いとG(HCN)値は大きくなる。反応容器の壁面はG(HCN)に大きな影響を及ぼす。最も大きいG(HCN)として4.2という値が得られた。シアン化水素生成のメカニズムとして次の2つの反応が提供された。N(or N
)+c
h
HCN+CH
(or CH
(2)N
(orN

)+C
H
HCN+oHlersz(3)反応(3)は高温および高エチレン分圧下において加速される反応である。室温においてもエチレン分圧の高いところでは反応(3)は反応(2)に優越している。