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報告書

第4回イオンビーム生物応用研究ワークショップ論文集; 2005年6月22日,高崎研究所

小林 泰彦; 舟山 知夫; 和田 成一; 浜田 信行*

JAERI-Conf 2005-012, 53 Pages, 2005/09

JAERI-Conf-2005-012.pdf:5.11MB

原研高崎研では、イオン照射研究施設(TIARA)のイオンビームを利用したバイオ分野の研究をより一層発展させるため、「マイクロビームを用いた生物学研究の新展開; マイクロサージャリの応用と細胞の放射線応答」と題して、マイクロビームを用いた細胞の放射線応答の研究及び生物機能解析プローブとしてのラジオマイクロサージャリへの応用について最新の研究成果を報告し、生命科学・バイオ技術分野さらには医学・医療分野へのマイクロビーム応用の将来展望について討議することを目的として第4回イオンビーム生物応用研究ワークショップを開催した。原研におけるイオンビーム生物応用研究の概要,国内外のマイクロビーム照射実験施設の現状,マイクロビームを用いた昆虫の生体修復機構の解析研究やバイスタンダー効果の研究などについて最新の成果が報告され、マイクロビームは生物学研究における新しい解析ツールとして非常に有効であるとともに低線量放射線生物影響の研究や放射線医学応用研究にも極めて重要であるとの認識が共有された。今後、これらの分野におけるマイクロビーム利用研究の一層の進展が期待される。

報告書

第2回イオンビーム生物応用ワークショップ論文集; 2003年11月21日,高崎研究所

鹿園 直哉; 長谷 純宏; 坂本 綾子; 大野 豊; 田中 淳

JAERI-Conf 2004-001, 72 Pages, 2004/03

JAERI-Conf-2004-001.pdf:4.88MB

日本原子力研究所(原研)ではイオンビームを用いた植物資源創成の研究を進めている。このイオンビーム育種の研究開発の現状を把握し、将来を展望して研究計画に反映させることを目的として、昨年高崎研究所イオンビーム生物応用研究部を中心に第1回イオンビーム生物応用ワークショップを開催した。さらに高崎研究所イオンビーム生物応用研究部は本年、この研究分野の産学官の連携を効率的に進めるとともに、関連研究者が一堂に会しこの研究を今後より一層発展させることを目指し、第2回イオンビーム生物応用ワークショップを主催した。本ワークショップは、平成15年11月21日日本原子力研究所高崎研究所ベンチャー棟大会議室において、日本原子力研究所高崎研究所主催、日本育種学会, 日本原子力学会関東・甲越支部、及び日本遺伝学会共催で行われ、134人が参加した。イオンビーム照射技術による生物応用研究,イオンビーム育種技術をもちいた品種改良並びに今後の研究展開に関して非常に質の高い、充実した発表がなされた。今後イオンビームによりますます多くの有用な植物資源が創成されることが期待される。

論文

Strong anti-stokes luminescence from H$$^{+}$$-irradiated diamond

Xu, Y.; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 宮下 喜好*; 神谷 富裕; 酒井 卓郎

Applied Physics Letters, 83(10), p.1968 - 1970, 2003/09

 被引用回数:6 パーセンタイル:27.81(Physics, Applied)

超高純度人工ダイヤモンド結晶の断面に、マイクロビーム(H$$^{+}$$)を走査して、照射量が大きく異なる直方体状の照射スポットを多数形成した。さらに、圧電駆動型の試料ステージを有する共焦点型顕微ラマン分光器上で、断面からの距離の(深さ)関数として、発光強度を測定して、格子間原子型3H色中心のクラスター量が2-3個のC原子であることと、これを高密度に形成する条件を見いだした。その結果、この3H色中心が、多光子励起ではなく、格子振動と強く相互作用した励起に基づく、アンチストークス発光をもたらすことを、実験的に検証することに成功した。

論文

Coarsening dynamics and surface instability during ion-beam-assisted growth of amorphous diamondlike carbon

Zhu, X. D.; 楢本 洋; Xu, Y.; 鳴海 一雅; 宮下 喜好*

Physical Review B, 66(16), p.165426_1 - 165426_5, 2002/10

 被引用回数:14 パーセンタイル:56.79(Materials Science, Multidisciplinary)

フラーレンの蒸着と同時にイオン照射を行い、炭素同素体変換過程を含んだ蒸着とスパッターリングが競合するなかで誘起されるナノサイズのパターン形成について考察した論文である。通常炭素系非晶質に対するイオン照射では表面が平滑化するの通常の結論であるが、ここでは逆の結果が得られた。これは、フラーレンへのイオン照射による同素体変換によりどのような結合状態の炭素物質が核生成するかに依存することを示した。

論文

Modification of carbon related films with energy beams

楢本 洋; Xu, Y.; 鳴海 一雅; Vacik, J.; Zhu, X.; 山本 春也; 宮下 喜好*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.647, p.O5.18.1 - O5.18.16, 2001/00

イオンやレーザー等の指向性エネルギービームを炭素系薄膜に照射することにより、例えばフラーレン薄膜は、さまざまな同位体へと変換する。この改質過程を、空間的に制御したり、結合状態を制御することにより、新しい機能を付与可能であることを、具体的事例を交えて、総合的に報告する。

論文

高分子の照射効果に関する国際会議に出席して

瀬口 忠男

放射線と産業, 11(81), p.48 - 49, 1999/03

放射線照射効果と高分子というタイトルで国際シンポジウムがドイツのドレスデンで98年9月に開催された。30ヵ国から120名の研究者が集まり、イオンビーム、電子、$$gamma$$線、レーザー、プラズマ等の照射効果を討論した。最近の研究の動向、研究課題等について解説した。

論文

The Present status of irradiation facilities at JAERI-Takasaki

西堂 雅博; 福田 光宏; 荒川 和夫; 田島 訓; 須永 博美; 四本 圭一; 田中 隆一

Proceedings of 3rd International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.183 - 188, 1998/00

高崎研は、$$gamma$$線、電子線、イオンビーム等の幅広い照射が系統的に実施できる各種の照射施設を備えた特徴ある研究所である。これらの照射施設は、各種の研究に利用されてきたが、とりわけ、宇宙用半導体デバイスの放射線耐性試験及び開発研究に、高崎研の各種照射施設が有効に利用されてきた。本論文では、高崎研の各種照射施設の現状と、さらに有効かつ効率的な各種照射施設利用のために予定されている将来計画、例えば、$$gamma$$線照射施設の改造計画、TIARA施設の高度化計画等、について述べる。

報告書

The TEM-Accelerators Facility at JAERI-Takasaki and its application to materials science

阿部 弘亨; 楢本 洋; 北條 喜一; 古野 茂実

JAERI-Research 96-047, 18 Pages, 1996/09

JAERI-Research-96-047.pdf:0.96MB

原研高崎研イオン照射研究施設に設置された加速器結合型電子顕微鏡、及び材料科学への応用についての概説。本装置は400kVイオン注入装置と40kVイオン照射装置、ならびに400kV電子顕微鏡から成る。現在までに進行している研究テーマのうち、黒鉛の照射誘起非晶質化、金属/シリコン界面のイオンビームミキシング、マグネシアの照射損傷、スピネルの電子/イオン同時照射効果について概説した。

論文

Photoelectron spectroscopic and surface resistance measurements of TiO$$_{2}$$ and V$$_{2}$$O$$_{5}$$ after rare-gas sputtering

佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 磯部 昭二*

Surface and Interface Analysis, 20, p.682 - 686, 1993/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:21.22(Chemistry, Physical)

TiO$$_{2}$$及びV$$_{2}$$O$$_{5}$$を1.5~15keV He$$^{+}$$,Ar$$^{+}$$,Xe$$^{+}$$で照射し、絶縁体から半導体の変化することを見い出した。表面電気伝導度は1$$times$$10$$^{17}$$Ar$$^{+}$$/cm$$^{2}$$の線量で数10$$Omega$$$$^{-1}$$cm$$^{-1}$$であった。XPSによる検討の結果、表面酸素量は減少しTi(II),Ti(III),V(IV)などの還元化学種が生成していることがわかった。また、UPSスペクトルのE$$_{F}$$レベル近傍に新たにピークが出現し、この非結合性3d電子がチャージキャリアーになると考えた。伝導度測定及びXPS測定のデータより、イオン1個当りの酸素欠損量が求められ、8keVHe$$^{+}$$で60個、8keVAr$$^{+}$$で110個、8keVXe$$^{+}$$で300個と決定された。

論文

重イオンビーム

大野 新一

放射線化学, 0(50), p.17 - 19, 1990/00

新しいビーム利用の展開のうちの重イオンビームに関係する化学反応の起こり方の特徴、研究の始まり、従来の放射線化学との違い、期待される応用分野などの所感を述べる。

口頭

イオン照射ポリイミド膜におけるトラックエッチング速度のLET依存性

越川 博; 浅野 雅春*; 八巻 徹也; 前川 康成

no journal, , 

重イオンビームを照射した高分子膜を化学エッチングすると、ナノ$$sim$$マイクロスケールでアスペクト比の高い穿孔を形成できる。本研究では、このいわゆるイオン穿孔のサイズと形状を制御することを目標として、種々のイオンビームを照射したポリイミド(PI)膜のトラックエッチング速度(V$$_{T}$$)を電気伝導率測定により求め、そのLET依存性を調べた。450MeV $$^{129}$$Xe, 250MeV $$^{40}$$Ar, 75MeV $$^{20}$$Neのイオンをフルエンス3$$times$$10$$^{6}$$$$sim$$3$$times$$10$$^{8}$$ ion/cm$$^{2}$$で照射したPI膜に対し、pH=9.0に調整した次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いてエッチングした。これと同時に、膜を介したエッチング液の電気伝導率を測定することで、穿孔が貫通するまでの時間(T$$_{B}$$)を取得し、V$$_{T}$$=(膜厚)/(2T$$_{B}$$)によりV$$_{T}$$を計算した。LETが1.4MeV/$$mu$$mのNeイオンでV$$_{T}$$が0.24$$mu$$m/hで最低であった。これに対して、LETが12MeV/$$mu$$mと最大のXeイオンはNeイオンの約20倍高いV$$_{T}$$を示し、大きなLET依存性が確認できた。

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