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後藤 真宏*; 河西 俊一; 福村 裕史*
Applied Surface Science, 154-155, p.701 - 705, 2000/02
被引用回数：15 パーセンタイル：60.80(Chemistry, Physical)新しい機能を備えたデバイス作製のためナノメートルオーダーで金属や半導体の構造制御を行うことが注目されつつある。しかし、有機分子を用いたナノ構造体作製は、その分子制御が難しいので実現には至っていない。もし、これが実現すれば有機分子特有の性質を生かした新規機能性材料作製の可能性が生ずる。われわれは、ジシアノアントラセン分子をガラスマイクロピペットの先端内壁部に付着させたもの分子注入源として使用し、パルスレーザー光で光励起し、先端の100nm開口から射出することにより注入を行った。被注入フィルムの蛍光顕微鏡観察の結果から、直径800nm以下の領域に注入されていることがわかった。
後藤 真宏*; 一ノ瀬 暢之; 河西 俊一; 福村 裕史*
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 38(1A-B), p.L87 - L88, 1999/01
被引用回数：8 パーセンタイル：39.43(Physics, Applied)これまで人体への薬品の投与は経口法及び注射による手法が行われてきた。今回新たな手法としてレーザー光を用いた有機分子の生体組織への注入の可能性を調べる目的で実験を試みた。有機分子の微粒子を分散させた高分子ペレットを注入源としエキシマレーザーを使用して注入を試みた。被注入組織には鶏の皮膚を使用した。その結果レーザー照射された皮膚組織から注入された有機分子の蛍光が観測され、有機分子が注入されていることがわかった。
後藤 真宏*; 一ノ瀬 暢之; 河西 俊一; 福村 裕史*
Applied Surface Science, 138-139, p.471 - 476, 1999/00
被引用回数：10 パーセンタイル：51.11(Chemistry, Physical)有機分子を用いた新規機能性材料の作製が最近注目を集めつつある。これらデバイスを作製する方法の1つにパルスレーザーを用いた高分子固体中への分子注入がある。このレーザー注入の注入ソースには、これまで有機分子と高分子を共通の溶媒に溶かした溶液から作製したフィルムが用いられてきた。そのため注入分子種に大きな制限があった。我々は溶媒を必要としない新手法を用いてレーザー注入を行った。有機分子と高分子粉末をタブレットにし、それをソースに用いた。注入後の被注入フィルムの吸収、蛍光スペクトルから、有機分子が未分解で注入されていることがわかった。さらにフィルム表面の原子間力顕微鏡像の解析により、1パルス目のレーザー照射で分子集合体が注入され、それ以降の照射で被注入フィルム中に拡散していくことがわかった。
D.M.Karnakis*; T.Lippert*; 一ノ瀬 暢之; 河西 俊一; 福村 裕史*
Applied Surface Science, 127-129, p.781 - 786, 1998/00
被引用回数：35 パーセンタイル：80.95(Chemistry, Physical)爆発的に光分解するトリアゼノ高分子に移動する分子としてピレンを添加し石英基板上に薄膜(ソースフィルム)を作成しPEMA,PBMAなどの被注入薄膜(ターゲットフィルム)に密着させた。この試料のターゲットフィルム側からYAGレーザーの3倍波(355nm)を照射すると、ピレンがターゲットフィルムへ移動することが、ターゲットフィルムの吸収、蛍光測定から示された。蛍光顕微鏡による注入分子のスポットサイズはレーザーフルエンスと共に増大し、衝撃波の挙動に類似していることから、この分子注入はトリアゼノ高分子の爆発的なレーザーアブレーションによって生じる衝撃波によって起こるものと考えた。
関根 俊明; 小泉 光生; 長 明彦
KURRI-KR-3, 0, p.13 - 17, 1996/00
平成4年に高崎研TIARAにISOL(オンライン同位体分離器)を設置した。これまでに短寿命アイソトープの核分光学的研究では、新核種
Pr、
Prを同定するとともに、高効率
-角度相関測定装置を利用して新しいエネルギー準位を見出して来た。RIのイオン注入による核物性的研究では、
Xeを種々の金属試料に注入してCsメスバウア遷移における核有効半径を決定する研究が進展している。また、ISOLにおいて重要なイオン源に関しては、共鳴イオン化を利用するレーザーイオン源の開発を進めている。
C.W.White*; 楢本 洋; J.M.Williams*; J.Narayan*; B.R.Appleton*; S.R.Wilson*
Laser and Electron-Beam Interactions with Solids,Vol.1, p.241 - 248, 1982/00
Si結晶格子と共有結合しない種々の不純物(Cr、Yb、Cu、Fe、Zn、W、Mn、Mg)をSi結晶に打込み、その後のパルス・レーザー焼鈍過程による不純物元素濃度の深さ分布変化、結晶格子への取込の有無をイオン・ビーム解析法により、又表面層の結晶格子不整を電子顕微鏡観察法により求めた。これら2種のデータを比較・検討し、以下の結論を得た。レーザー照射により誘起される焼鈍過程は打込不純物原子分布に大きな影響を及ぼすが、その過程は以下に示す2つの典型例に大別される。(1)低濃度打込の場合:レーザー照射によって生じた溶解層が表面へと移動する時に生ずる理想的帯精製現象が見られ、打込層のepitaxial growthと不純物の表面への推積が起こる。(2)高濃度打込の場合:固液界面は組成的過冷却状態になって結晶成長過程が不安定となる。その結果、セル構造に代表される析出物の形成が生ずる。
