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論文

Influence of Plasma-wall interactions on the behaviour of ELMs in JT-60U

Chankin, A. V.; 朝倉 伸幸; 福田 武司; 諫山 明彦; 伊丹 潔; 鎌田 裕; 久保 博孝; 三浦 幸俊; 仲野 友英; 大山 直幸; et al.

Journal of Nuclear Materials, 313-316, p.828 - 833, 2003/03

 被引用回数:21 パーセンタイル:76.76(Materials Science, Multidisciplinary)

JT-60におけるタイプ1ELMでは、プラズマ中性粒子相互作用によりエッジプラズマ密度の過渡的上昇が起き、内側コードのプラズマ密度干渉計(FIR1)の数msのスパイクとして観測される。プラズマの密度上昇は、SOL及びセパラトリクスすぐ内側、ただしHモードのペデスタルより外側で起こる。中性粒子が即時にイオン化することによるエッジ密度の上昇はMHD安定性に影響を及ぼし、より低いペデスタル温度・圧力でトリガーされる2次的なELMあるいは、タイプ3ELMの連なり、あるいはLモード状態がもたらされる。これらの現象は壁のコンディションに依存することが観測された。

論文

D$$_{alpha}$$ measurements in the JET divertor with the divertor periscope diagnostic

Loarer, T.*; Horton, L. D.*; 久保 博孝; Maggi, C. F.*; Morgan, P. D.*; Stamp, M. F.*; Von Hellermann, M.*

JET-R-99-05, p.1 - 20, 1999/09

JETのダイバータ領域から放射されるD$$_{alpha}$$線のスペクトル・プロファイルを、ダイバータ・ペリスコープ診断装置を用いて測定することにより、中性粒子の密度分布及びエネルギー分布を調べた。D$$_{alpha}$$線のゼーマン分裂の幅からD$$_{alpha}$$線の放射位置を決定し、電子密度が高くなりダイバータプラズマが非接触状態になると、中性粒子密度の高い領域がダイバータ板近傍からX点付近に移動なることを明らかにした。中性粒子のエネルギー分布は、フランク・コンドン過程による低エネルギー成分と、反射と荷電交換による高エネルギー成分に分離できる。電子密度が増加するに伴って、この両方の成分の平均エネルギーが減少することを観測した。低エネルギー成分については解離過程の変化が、高エネルギー成分についてはイオン温度の変化が、この平均エネルギーの変化の原因であると考えられる。

論文

High density ECR plasma for negative ion source

松田 恭博*; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 小島 啓明; 小原 祥裕; 奥村 義和; 渡邊 和弘

Proceedings of the 12th Symposium on Ion Sources and Ion-Assisted Technology, p.107 - 110, 1989/00

ECRプラズマ源にはカソードが必要ないことや低ガス圧で運転が可能などいくつかの利点がある。我々はこれらの特徴に注目し負イオン源並びにプラズマ中性化セルへの応用を目指した高密度ECRイオン源を開発した。生成されたプラズマのパラメータ測定には磁界に直交する様に挿入されたラングミューアプローブを用いた。水素プラズマにおいて負イオン生成に適した電子温度1eV、イオン飽和電流密度80mA/cm$$^{2}$$と比較的高密度のプラズマが生成された。またキセノンプラズマにおいては0.016Paと低ガス圧でJis=150mA/cm$$^{2}$$と電離度の高い高密度プラズマが得られた。以上の様にECRプラズマが負イオン源やプラズマ中性化セルへの応用に有効であることがわかった。

論文

Confinement and fueling studies during additional heating phase in the JFT-2M tokamak

仙石 盛夫; JFT-2Mチーム

J. Nucl. Mater., 145-147, p.556 - 561, 1987/00

 被引用回数:36 パーセンタイル:93.34(Materials Science, Multidisciplinary)

JFT-2MトカマクにおけるNBI加熱時の電子密度上昇に関連して、水素(H$$_{2}$$)及び重水素(D$$_{2}$$)の中性ガス圧力が、磁気シールドされた質量分析器により測定された。D$$_{2}$$の中性ガス圧力は、ある電子密度のしきい値(Nc~2.5$$times$$10$$^{1}$$$$^{3}$$cm$$^{-}$$$$^{3}$$;ジュールが加熱時,N'c~3.5$$times$$10$$^{1}$$$$^{3}$$cm$$^{-}$$$$^{3}$$:NBI加熱時)までは密度に比例して上昇するが、Ncを越えると密度に対して急激に上昇する。追加熱時における電子密度限界は、D$$_{2}$$ガス圧力(注入ガス)と相関があること及び密度上昇はガスパフで補給したD$$_{2}$$ではなく、壁から放出されるH$$_{2}$$ガスによるものであることが明らかにされた。

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