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土井 健治; 茅野 秀夫*; 増本 健*
Journal of Applied Crystallography, 11(5), P. 605, 1978/00
非晶質合金PdSiをJMTRの速中性子により510/cmのフルエンスに照射した試料のX線小角散乱を測定した。X線広角散乱には照射による変化は殆ど認められないことはすでに報告した(登録No.A-7199)。CuK線を用い散乱角15'~5°の範囲の測定を行ったところ、照射によりこの範囲の散乱強度が著しく増大していることを見た。未照射試料についてはこの範囲での散乱強度は殆ど0である。この散乱強度分布より、中性子照射により数10程度の構造のゆらぎが生じたことを結論した。前報の結果と併せて非晶質物質の照射損傷の様子が結晶性物質のそれとどのように異なるかについて一般的な考察を行なう。