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論文

Consumption kinetics of Si atoms during growth and decomposition of very thin oxide on Si(001) surfaces

小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

Thin Solid Films, 508(1-2), p.169 - 174, 2006/06

 被引用回数:13 パーセンタイル:50.95(Materials Science, Multidisciplinary)

Si(001)表面極薄酸化膜の成長とその後の分解過程における表面凹凸の変化をオージェ電子分光(AES)機能の付随した高速電子線回折(RHEED)で実時間観察し、さらに、走査トンネル顕微鏡(STM)で巨視的に観察した。RHEED観察から、690$$^{circ}$$Cでの二次元島成長モードでは表面のエッチングがシリコンの核化とその二量体の欠陥の横広がりで起こることが明らかになった。一方で、酸化膜は709$$^{circ}$$Cでは分解し、ステップフローモードでSi原子が消費される。しかし、酸化膜が一部分解した表面のSTM像ではステップフローエッチングではなく、ボイドの中の平坦なテラスに直径が10-20オングストロームのSi島が多く見られた。これらの結果はSiクラスターとSiO$$_{2}$$の中間的な二次元島成長でできたSiリッチな酸化膜の相分離とその分解過程におけるテラス上でのSiの析出を意味している。

論文

Treatment of ion-exchange resins by fluidized bed incinerator equipped with copper oxide catalyst; Fundamental studies

木下 弘毅*; 平田 勝; 矢幡 胤昭

Journal of Nuclear Science and Technology, 28(3), p.228 - 238, 1991/03

示差熱天秤を用いてイオン交換樹脂の熱分解挙動を調べた。樹脂の熱分解は三段階に分かれて進行する。即ち、第1段階は含有水分の蒸発、第2段階は交換基の分解、第3段階は樹脂基体の熱焼による。次に、酸化銅触媒をフリーボードに設置した流動層を用いて樹脂の燃焼条件を調べた。樹脂は約750$$^{circ}$$Cに加熱した流動層内で燃焼し、排ガス中の未燃焼物は約650$$^{circ}$$Cに加熱した酸化銅触媒との接触反応で燃焼させた。この実験から酸化銅触媒はイオン交換樹脂の焼却に適していることを確かめた。イオン交換樹脂を焼却する際に発生するSOxをCa(OH)$$_{2}$$添加で固定を試みた。この方法はSOx固定に有効であるが、過剰のCa(OH)$$_{2}$$の一部は触媒に吸着し、更にパイプラインに堆積し、ガスの流れに影響を及ぼした。従ってイオン交換樹脂から発生するSOxの固定については改良法が必要である。

論文

Effects of water vapor on the radiolysis of methane over molecular sieve 5A

清水 雄一; 永井 士郎

Radiation Physics and Chemistry, 33(6), p.567 - 572, 1989/00

460$$^{circ}$$Cにおけるモレキュラーシーブ5A上でのメタンの放射線分解への水蒸気の添加効果を、生成物の分析から検討した。水素、一酸化炭素、二酸化炭素及び低級炭化水素が高収率で生成した。3:1及び3:2メタン-水蒸気混合物からの炭化水素の収量は時間によってわずかに減少するが、3:4混合物からのそれは時間でほとんど変化しなかった。メタン流通下で照射後のモレキュラーシーブ5Aを水蒸気存在下で最照射すると、メタンからモレキュラーシーブ5A上へ生成した含炭素固体は二酸化炭素、一酸化炭素、水素及び主にアルカンから成る炭化水素に容易に分解された。以上の結果から、水蒸気の添加による生成物収量の経時変化の抑制は主として電子線照射下での水蒸気による含炭素固体の分解によるものであると考えられることができる。また、添加した水蒸気の作用を従来のメタン-スチームリフォーミング反応との関連において議論した。

論文

Studies on the nickel・iodine・sulfur process for hydrogen production

佐藤 章一; 清水 三郎; 中島 隼人; 小貫 薫; 池添 康正; 諏訪 武

Int.J.Hydrogen Energy, 9(3), p.191 - 196, 1984/00

 被引用回数:6 パーセンタイル:75.10(Chemistry, Physical)

ニッケル・ヨウ素・硫黄を用いる水素製造プロセスについて研究した。ヨウ化ニッケルを硫酸ニッケルから分離する方法として、溶媒抽出に代えて晶出分離を行うことにより、プロセス効率は大幅に上昇した。その他、ニッケル塩の溶解度、沃化ニッケル含水塩、無水塩の分解平衡圧、沃化ニッケルの熱分解速度、三酸化硫黄の接触分解など、プロセスに含まれる平衡、速度の測定を行った。プロセスの熱収支を算出した。

論文

Kinetics of the thermal decomposition of nickel sulfate

小貫 薫; 清水 三郎; 中島 隼人; 池添 康正; 佐藤 章一

Bulletin of the Chemical Society of Japan, 56, p.3294 - 3296, 1983/00

 被引用回数:2 パーセンタイル:23.82(Chemistry, Multidisciplinary)

硫酸ニッケルの熱分解反応速度を1023Kから1078Kの温度範囲にわたって測定した。粉末試料の場合、熱分解は界面収縮型であり、分解の活性化エネルギーは296KJ/molであった。気体生成物は、三酸化硫黄(SO$$_{3}$$)、二酸化硫黄(SO$$_{2}$$)および酸素(O$$_{2}$$)であり、その組成は平衡値に近いものであった。これは、固体分解生成物である酸化ニッケル(NiO)が、反応SO$$_{3}$$$$rightarrow$$SO$$_{2}$$+1/2O$$_{2}$$に対して高い触媒能を有するためと考えられる。

報告書

閉サイクル水素製造法の研究,5; 1980年度

佐藤 章一; 池添 康正; 諏訪 武; 清水 三郎; 中島 隼人; 小貫 薫

JAERI-M 9724, 128 Pages, 1981/10

JAERI-M-9724.pdf:3.66MB

核エネルギーによる閉サイクル水素製造プロセスに関して、昭和55年度に行った研究について報告した。熱化学法の研究では、ニッケル・沃素・硫黄を用いるプロセス(NISプロセス)について、沃化ニッケルと硫酸ニッケルの含水塩と無水塩の分解平衡圧の測定、沃化ニッケル無水塩の熱分解速度の測定、三酸化硫黄の触媒による分解など、プロセスに含まれる主要ステップの平衡、速度の測定を行った。メタノールを用いた新プロセスについて、予備的に検討した。放射線化学法の研究では、炭酸ガス分解反応における逆反応機構の研究、特にイオン反応に対する水と一酸化炭素を含むイオン種の影響について研究した。使用済核燃料の線源利用の文献調査結果についても述べた。

論文

A New class of thermochemical hydrogen production processes

佐藤 章一; 中島 隼人

Journal of Nuclear Science and Technology, 12(10), p.659 - 660, 1975/10

 被引用回数:1

熱化学的閉サイクル水素製造のための新プロセスとして、炭酸ガスを遷移金属低級塩化物と反応させて一酸化炭素を得、これを水と反応させて水素を得る反応を組み合わせることを考案した。塩化マンガン(II)の反応を例として、熱化学的性質と、炭酸ガスの反応による一酸化炭素生成量の実験結果、および反応についての簡単な考察を行った。マンガンのほか、クロム,鉄,ニッケル,コバルトで同様な一酸化炭素生成が見出されたので、これらの反応を用いて、新しい種類の熱化学的水素製造プロセスが構成できることを、数例をあげて述べた。

口頭

Effect of oxidation-induced strain on thermal decomposition of ultrathin oxide grown on Si(111) and Si(001) surfaces

Tang, J.*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 西本 究*; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

no journal, , 

Although the oxide decomposition was observed to proceed via void nucleation and subsequent enlargement with SiO desorption and the void growth, it is still not clear what is a trigger to nucleate voids at SiO$$_{2}$$/Si interface. Recently, we reported that the emission of Si atom caused by the oxidation-induced strain at SiO$$_{2}$$/Si interface is likely responsible for nucleating voids. In this study, the thermal decomposition kinetics of ultrathin SiO$$_{2}$$ film on Si(001) and Si(111) surfaces have been investigated using real-time X-ray photoelectron spectroscopy with photon energy of 711 eV at JAEA beamline BLSU23, SPring-8 to confirm the void nucleation model.

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