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神野 郁夫
Review of Scientific Instruments, 61(1), p.129 - 137, 1990/01
被引用回数：11 パーセンタイル：73.40(Instruments & Instrumentation)シリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)における電荷収集過程についてモデルを考案した。このモデルは著者が既に報告しているSSBにおけるプラズマ柱の生成・崩壊のモデルに続くものである。SSB内での電荷収集については、一対の電子、正孔を扱ったRamoの定理があるが、この定理をプラズマ柱の崩壊にともなう多数の電子および正孔に応用した。このモデルは、プラズマ柱の先端、後端の位置を時間の関数として表わし、またプラズマ柱消滅の時刻も算出する。このモデルを用いて、アルファ粒子、
Arイオンについて、SSBにかけるバイアス電圧を50~200Vに変化させ、誘導電流、誘導電荷を時間の関数として計算した。
神野 郁夫
JAERI-M 87-173, 102 Pages, 1987/10
核分裂片二重エネルギー二重速度(DEDV)測定しの新しいシステムが開発された。このシステムでは、核分裂片のエネルギーをシリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)で測定し、薄膜シンチレーション検出器(TFD)をスタート検出器、SSBをストップ検出器とする飛行時間法で、速度を測定する。DEDV測定システムの開発にあたり、TFDおよびSSBについて、理論的・実験的研究がおこなわれた。TFDとSSBを用いたDEDV測定システムの時間分解能は133psであった。このシステムの応用として、
U熱中性子核分裂片についてDEDV測定をおこなった。解析結果の分裂片の運動エネルギーおよび中性子放出数は、他のデータと良い一致を示した。このDEDV測定システムを用いて、核分裂現象を詳細に研究することができる。
