Hydrogen migration in electron irradiated Pd based dilute alloys around the 50 K anomaly

山川 浩二*; 知見 康弘; 石川 法人; 岩瀬 彰宏*

Journal of Alloys and Compounds, 370(1-2), p.211 - 216, 2004/05

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2003.09.037

Pd系希薄合金(Pd-1at.% Fe-H及びPd-1at.% Ag-H)における水素の移動について、50K付近の電気抵抗測定により調べた。0.5MeV電子線を15K以下で照射することにより不規則化した水素原子は、試料の昇温中に原子移動により規則化した。このときの電気抵抗の回復曲線には、電子線照射した試料では2つのサブステージが、急冷した試料では1つのステージのみが見られた。各ステージでの水素の移動エネルギーは、規則化に起因する電気抵抗変化をクロスカット法で解析することにより得られた。低温ステージでの移動エネルギーは高温ステージよりも小さく、高温ステージでの値は急冷の場合と同程度であった。Pd系合金に関して、照射による水素原子の不規則化と急冷によるものとの違いについて議論する。

Magnetic flux motion of superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O films after ion irradiation

星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*

Japanese Journal of Applied Physics, 29(8), p.L1443 - L1445, 1990/08

https://doi.org/10.1143/JJAP.29.L1443

室温でヘリウム照射した多結晶Bi-Sr-Ca-Cu-O系薄膜について磁場中における電気抵抗の温度依存性を抵抗法を用いて測定した。その結果、低抵抗領域での遷移温度の拡がりは照射フルエンスの増加とともに抑制された。また、実効活性化エネルギーはイオン照射により増加した。これらの変化はイオン照射で導入されたピンニング・センターの存在に起因している。

Pinning strength of Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductor after ion irradiation

高村 三郎; 有賀 武夫; 星屋 泰二

Japanese Journal of Applied Physics, 28(7), p.L1118 - L1120, 1989/07

https://doi.org/10.1143/JJAP.28.L1118

Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超電導体薄膜を400KeV-Heイオン照射し、電気抵抗法による臨界電流の磁場中測定を行った。照射欠陥による磁束線のピンニング強さを調べるための一つの実験手段として、磁場中冷却の場合と零磁場冷却の場合について測定を行ったところ、照射したものは著しい差が現れた。これらの実験から照射により生成した磁束線のピンニング強さに分布があることを確認した。またピンニング強さを求めた。

易加工性・耐放射線性繊維強化プラスチックの研究,I; 電子線による室温での積層複合材の劣化挙動

宇田川 昂; 萩原 幸; 河西 俊一; 貴家 恒男; 江草 茂則; 橋本 修*; 山本 泰*; 園田 克己*; 小野 利夫*; 長田 大三郎*; et al.

JAERI-M 85-220, 26 Pages, 1986/01

JAERI-M-85-220.pdf:1.44MB

種々の機械特性とその破壊面の電子顕微鏡による観察から、加工性に優れた数種のFRPについて、それぞれの放射線劣化挙動を検討した。ビスフェノール型エポキシを母材とするFRPは10~30MGyの低下が始まった。これは、母材の耐放射線性が低いことによる。さらに、母材が同一であるにもかかわらず、基材としてはガラス繊維よりカーボン繊維の方がFRPの機械特性低下に明らかな影響を与える線量が大きく、劣化開始線量は約60MGyとなった。BTレジン系の樹脂を母材とするGFRPは、少なくとも60MGyの線量に耐えた。3点曲げ強度は100MGyの線量でも影響されない。これは、母材と界面の耐放射線性が共に高いことによる。種々の機械特性試験のなかで、せん断強度が放射線劣化を最も敏感に反映した。

Fission-neutron displacement cross sections in metals

高村 三郎; 有賀 武夫; 仲田 清智*

Journal of Nuclear Materials, 136, p.159 - 163, 1985/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(85)90003-0

22種類の金属をLHTLにおいて核分裂スペクトルの中性子を極低温照射し、照射後電気抵抗による増加量を測定し、照射欠陥のはじき出し断面積を求めた。一方、核分裂中性子による弾性散乱,非弾性散乱断面積から計算上のはじき出し断面積を求め、実験値との比較を行った。計算値と実験値の比は面心立方金属に対しては0.3~0.4、体心立方金属では0.6~0.8であった。またはじき出し断面積は原子番号に対して減少関数であることを示した。

Electrical resistivity change in Cu and Al stabilizer materials for superconducting magnet after low-temperature neutron irradiation

仲田 清智*; 高村 三郎; 多田 直文*; 正岡 功*

Journal of Nuclear Materials, 135, p.32 - 39, 1985/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(85)90434-9

銅とアルミニウムを約5Kで高速中性子照射し、その後300Kに焼なましをし、これらをくり返し行った。4.2Kでの磁場中の電気抵抗変化を測定し、加工度と純度の影響について調べた。その結果、照射による電気抵抗増加量は銅はアルミニウムの1/3であるが、照射後300Kに焼なますと約20%は残留する。この残留量は加工材の方が焼鈍材より小さい。また電気抵抗比が1400の高純度材の磁気抵抗増加量は電気抵抗比300のものより大きく、磁場を増すと共に増加する。加工材の照射前の電気抵抗はかなり大きいので、安定化材として使用するには、電気抵抗比が300位の銅の焼鈍材が最適である。

低温照射したバナジウム中の水素の急冷凍結

小桧山 守*; 高村 三郎

日本金属学会誌, 49(7), p.491 - 494, 1985/00

http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/jinstmet1952/49.491

水素添加したバナジウムを液体ヘリウム中に急冷し、等時焼鈍曲線を求めた。同じ試料を高速中性子照射した後、急冷実験を行い、照射前後の凍結水素量や回復過程の差を比較検討した。急冷凍結による水素の固溶量は照射によって減少する。照射欠陥によって水素が捕獲され、水素化物の形成によって説明できる。

Recovery of electrical resistivity in Ni alloys after neutron irradiation at low temperature

高村 三郎; 小桧山 守*

Radiat.Eff., 91, p.139 - 153, 1985/00

各種ニッケル合金を極低温で中性子照射した後、電気抵抗の等時焼鈍曲線を測定し、照射欠陥の回復過程を調べた。溶質原子による格子間原子の捕獲によって回復ステージIの量は減少する。この減少量は溶質原子の格子間原子捕獲能力に比例するものであり、溶質原子サイズとの関連で整理した。Ni中の溶質原子濃度を増加させた時に生成する溶質原子クラスターと照射欠陥との相互作用についても議論した。

Internal friction of Al-Mg dilute alloy after neutron irradiation at low temperature

高村 三郎; 小桧山 守*

Radiat.Eff., 81, p.243 - 253, 1984/00

Al-Mg希薄合金の単結晶を低温で高速中性子照射し、内部摩擦、弾性率、電気抵抗測定を行い、格子間原子-マグネシウム原子複合体の回復過程や対称性について調べた。複合体は130Kと160Kの2つの温度で消滅する2種類があり、前者は111対称性をもっている。オーバーサイズの溶質原子であるが、計算の予想とは異なった結果が得られた。

極低温における材料の高速中性子照射損傷の研究

高村 三郎; 前田 裕司

応用物理, 51(3), p.260 - 271, 1982/00

http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/oubutsu1932/45.260

極低温で高速中性子照射した金属の照射欠陥に関してわれわれの測定装置を紹介し、それらを用いて得られた研究成果を中心に述べた。まず高速中性子照射によって生成された欠陥の生成量、回復過程に関して、電気抵抗、X線回折、長さ測定を行ない、高速中性子照射と電子線照射との相違点を述べた。体心立方金属の機械的試験についても言及した。また核融合炉用超電導磁石材料の極低温照射後の試験結果を述べ、問題点を指摘した。