PSI SINQ specimen PIE at JAEA-WASTEF

斎藤 滋; 大久保 成彰; 遠藤 慎也; 鈴木 和博; 畠山 祐一; 菊地 賢司*

no journal, , 

核破砕中性子源やADSのビーム入射窓及び構造材料は、高エネルギー陽子及び核破砕中性子の照射により、損傷を受ける。核破砕条件における材料の照射損傷特性を明らかにするために、スイスのPSIを中心としてSTIP(SINQ Target Irradiation Program)やMEGAPIE(MEGAwatt Pilot Experiment)などの核破砕ターゲット材料照射プログラムが実施された。これらのプログラムではPSIの加速器で各種材料を580MeVの陽子で照射し、参加国がPIEを分担して行っている。原子力機構も照射試料の一部を輸送し、照射後試験を行った。本発表ではこれらの照射後試験の代表的な結果や、照射から照射後試験に至るまでの各工程の知見や経験などを紹介する。これらはRaDIATEの枠組みにおいて計画されている高エネルギー加速器照射試験及び照射後試験の参考となり得る情報である。