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F
irradiated with two-frequency CO
laser lights横山 淳; 大場 弘則; 橋本 雅史; 勝又 啓一; 赤木 浩; 石井 武*; 大家 暁雄*; 荒井 重義*
Applied Physics B, 79(7), p.883 - 889, 2004/11
被引用回数:10 パーセンタイル:43.76(Optics)シリコン同位体分離を2振動数CO
レーザー光照射によるSi
F
の赤外多光子解離を利用して行った。2振動数光照射により高い分離係数を維持したまま分離効率を向上させることができた。例えば、966.23cm
(0.089J/cm
)と954.55cm
(0.92J/cm
)の光を100パルス同時に照射し、Si
F
を40%分解させることで
Si同位体純度99.4%のSi
F
が得られた。一方、954.55cm
の光(0.92J/cm
)のみでは同位体純度99.0%のSi
F
を得るのに1000パルスの照射が必要であった。
Siと
Siの1パルス照射あたりの分離係数は、Si
F
圧の増加に伴って増大した。この圧力効果の原因について周囲の気体との衝突による回転及び振動緩和の観点から議論した。
Si by infrared multiple photon decomposition of Si
F
横山 淳; 大場 弘則; 柴田 猛順; 河西 俊一*; 杉本 俊一*; 石井 武*; 大家 暁雄*; 宮本 佳樹*; 磯村 昌平*; 荒井 重義*
Journal of Nuclear Science and Technology, 39(4), p.457 - 462, 2002/04
被引用回数:3 パーセンタイル:22.35(Nuclear Science & Technology)六フッ化ニケイ素(Si
F
)の赤外多光子解離を用いたシリコン同位体分離により高濃縮
Siを得た。TEA炭酸ガスレーザーの10P(8)発振線(954.55cm
)の光をセルにつめたSi
F
にフルエンス1.0J/cm
で照射した。その結果、
Siと
Siは、生成物であるSiF
と白色の粉に濃縮し、
Siは分解しないで残ったSi
F
に濃縮した。99.9%濃縮の
Siは、Si
F
を50%分解することにより得られた。また、Si
F
を連続的に流し、レーザー照射を行うことで、99.7%濃縮の
Siを2.5g/hの生成速度で連続的に生成することが出来た。