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Si single crystal grown by the flux method竹内 徹也*; 芳賀 芳範; 谷口 年史*; 伊覇 航*; 安次富 洋介*; 屋良 朝之*; 木田 孝則*; 田原 大夢*; 萩原 政幸*; 中島 美帆*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 89(3), p.034705_1 - 034705_15, 2020/03
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Multidisciplinary)Single crystals of EuCuSi have been grown by the flux method and Bridgman method. The Eu ions of the Bridgman-grown crystal are nearly trivalent and fluctuate depending on the temperature. On the other hand, the Eu ions of flux-grown sample are divalent and thermally stable and show spin-glass behavior at low temperatures. Crystallographic analyses identified random replacement of Cu sites by Si only for the flux-grown samples. Such structural randomness leads to spin-glass features.
横田 光史
Physica A, 363(2), p.161 - 170, 2006/03
被引用回数：6 パーセンタイル：41.34(Physics, Multidisciplinary)スピングラス転移温度近傍におけるイジングスピングラス模型をクラスター近似を用いて調べた。スピングラス秩序パラメーター関数及び磁場中においてレプリカ対称性が破れるAT線を求めた。
Lu
BC(0
x0.31) compounds東方 綾*; 石本 賢一*; 今野 潤也*; 大山 研司*; 金子 耕士; 山口 泰男*; 小野寺 秀也*
Journal of the Physical Society of Japan, 72(12), p.3231 - 3236, 2003/12
被引用回数：1 パーセンタイル：12.71(Physics, Multidisciplinary)CeBCにおける磁気相関を明らかにする目的で、希釈系であるCeLuBC(0x0.31)について、比熱,dc及びac帯磁率から磁気的性質を調べた。Lu系の希釈により、磁気転移が一次から二次へと変化した。さらに希釈を進めていくと、
=0.31ではスピングラス相が現れた。これは、Luによる希釈によって、競合していた反強磁性と強磁性の関係が壊れていくことに起因していると考えられる、これよりCeBCでは、強磁性と反強磁性相互作用がほぼ打ち消し合っている状態にあると考えられる。
Sm
TiO
(0≦x≦1)吉井 賢資; 中村 彰夫; 阿部 英樹*
Journal of Alloys and Compounds, 290(1-2), p.236 - 243, 1999/00
被引用回数：11 パーセンタイル：60.98(Chemistry, Physical)ペロブスカイトチタン混晶LaSmTiOを作製したところ、以下のような現象が見いだされた。(1)0≦x≦1では、LaTiOともSmTiOとも異なり、帯磁率-温度曲線に帯磁率ピークが表れる。(2)ピーク温度付近では磁化にヒステリシスが表れるが、それ以下の温度ではほとんど消失する。(3)ピーク温度近傍では電気抵抗の異常はない。(4)4.5Kにおける磁化は時間の対数に比例する。スピングラスに見られるような冷却から磁場印加までの待ち時間で磁化-時間曲線に屈曲が表れる。いわゆるエージング現象はない。(5)AC帯磁率はピーク温度直上及び直下で正に発散する。これらから、本系では、スピンクラスターがランダム配向したクラスターガラス状態が発生しているとした。
横田 光史
Physics Letters A, 212, p.109 - 114, 1996/00
被引用回数：2 パーセンタイル：30.29(Physics, Multidisciplinary)強磁性長距離秩序形成に対するスピングラス凍結によるランダム磁場効果を考察した。スピングラス模型におけるスピングラス相から強磁性相への転移と、対応するランダム磁場中のスピン模型における強磁性転移との類似性について議論した。
横田 光史
Journal of Physics; Condensed Matter, 4, p.2615 - 2622, 1992/00
被引用回数：11 パーセンタイル：56.65(Physics, Condensed Matter)S=1の結晶場中におけね一般化されたSKイジングスピングラス模型について、スピングラス相と1次相転移を調べた。この模型に対して、平均場方程式を導き、それを数値的に解いた。一次転移線近くでは、Pi=Si
のダブルピーク構造が重要であることを示した。この相転移は、定性的にみて、基底状態での相転移に似ている。
横田 光史
Physica A, 185, p.336 - 339, 1992/00
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Multidisciplinary)無限レンジ模型についてスピングラス相の性質をレプリカ法を使わずに調べた。平均場方程式を数値的に解くことによって、オーダーパラメーターが得られる。最初に、ある種の量子効果を調べるために、横磁場中のSK模型をペア近似で調べた。横磁場の存在によってもスピングラス相の性質は変わらないことが示された。次に、1次相転移の性質を調べるために、結晶場中の一般化されたSK模型を調べた。1次相転移はスピングラスにおいても整合的に記述できた。Pi=Siの分布が1次相転移線上でダブルピーク構造を持つことが明らかになった。
横田 光史
Physical Review B, 44(22), p.12586 - 12588, 1991/12
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Materials Science, Multidisciplinary)コメントにおいて提出されたいくつかの問題について議論した。この量子スピン系における非可換性の重要性を見るために、このモデルをベーテ近似で取り扱い、結果をペア近似と比較した。
横田 光史
Physical Review B, 40(13), p.9321 - 9323, 1989/11
被引用回数：17 パーセンタイル：70.38(Materials Science, Multidisciplinary)横磁場中の無限レンジイジングスピングラス模型に対する相図をペア近似で求めた。横磁場が小さい時、転移温度は横磁場の増加につれて少し上昇する。これは、スピングラスにおいて重要な役割をはたす反作用場が量子効果によって減少するためと考えられる。横磁場の大きさが大きいときには量子的ゆらぎによって系は常磁性にとどまる。
