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Lu
B
C(0
x0.31) compounds東方 綾*; 石本 賢一*; 今野 潤也*; 大山 研司*; 金子 耕士; 山口 泰男*; 小野寺 秀也*
Journal of the Physical Society of Japan, 72(12), p.3231 - 3236, 2003/12
被引用回数：1 パーセンタイル：13.16(Physics, Multidisciplinary)CeBCにおける磁気相関を明らかにする目的で、希釈系であるCeLuBC(0x0.31)について、比熱,dc及びac帯磁率から磁気的性質を調べた。Lu系の希釈により、磁気転移が一次から二次へと変化した。さらに希釈を進めていくと、
=0.31ではスピングラス相が現れた。これは、Luによる希釈によって、競合していた反強磁性と強磁性の関係が壊れていくことに起因していると考えられる、これよりCeBCでは、強磁性と反強磁性相互作用がほぼ打ち消し合っている状態にあると考えられる。
Sm
TiO
(0≦x≦1)吉井 賢資; 中村 彰夫; 阿部 英樹*
Journal of Alloys and Compounds, 290(1-2), p.236 - 243, 1999/00
被引用回数：10 パーセンタイル：61.01(Chemistry, Physical)ペロブスカイトチタン混晶LaSmTiOを作製したところ、以下のような現象が見いだされた。(1)0≦x≦1では、LaTiOともSmTiOとも異なり、帯磁率-温度曲線に帯磁率ピークが表れる。(2)ピーク温度付近では磁化にヒステリシスが表れるが、それ以下の温度ではほとんど消失する。(3)ピーク温度近傍では電気抵抗の異常はない。(4)4.5Kにおける磁化は時間の対数に比例する。スピングラスに見られるような冷却から磁場印加までの待ち時間で磁化-時間曲線に屈曲が表れる。いわゆるエージング現象はない。(5)AC帯磁率はピーク温度直上及び直下で正に発散する。これらから、本系では、スピンクラスターがランダム配向したクラスターガラス状態が発生しているとした。
横田 光史
Journal of Physics; Condensed Matter, 4, p.2615 - 2622, 1992/00
被引用回数：11 パーセンタイル：57.61(Physics, Condensed Matter)S=1の結晶場中におけね一般化されたSKイジングスピングラス模型について、スピングラス相と1次相転移を調べた。この模型に対して、平均場方程式を導き、それを数値的に解いた。一次転移線近くでは、Pi=Si
のダブルピーク構造が重要であることを示した。この相転移は、定性的にみて、基底状態での相転移に似ている。
横田 光史
Physical Review B, 40(13), p.9321 - 9323, 1989/11
被引用回数：17 パーセンタイル：71.03(Materials Science, Multidisciplinary)横磁場中の無限レンジイジングスピングラス模型に対する相図をペア近似で求めた。横磁場が小さい時、転移温度は横磁場の増加につれて少し上昇する。これは、スピングラスにおいて重要な役割をはたす反作用場が量子効果によって減少するためと考えられる。横磁場の大きさが大きいときには量子的ゆらぎによって系は常磁性にとどまる。
