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大麻 和美; 前田 彦祐; 山本 新; 永見 正幸; 大塚 英男; 河西 敏; 小田島 和男; 木村 晴行; 仙石 盛夫; 下村 安夫
Journal of the Physical Society of Japan, 46(5), p.1635 - 1640, 1979/00
被引用回数：6DIVA(JFT-2a)を用いて、金属不純物の発生メカニズムに関する研究を行なった。方法は、実際に装置で用いられていたシェルの表面に残されたスパッタリングコーンの成長度の空間分布を SEM(scanning electron micrograph) を用いて調べた。その分布をAuIの発光強度の空間分布と一致していることを明らかにした。又、シェルの一部にバイアスをかけた時とAuIの発光強度の変化から、不純物イオンによるスパッタリングが主に効いていることを明らかにした。
