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中村 和幸; 長瀬 昭仁*; 大楽 正幸; 秋場 真人; 荒木 政則; 奥村 義和
Journal of Nuclear Materials, 220-222, p.890 - 894, 1995/00
被引用回数:19 パーセンタイル:83.72(Materials Science, Multidisciplinary)50~100eVのエネルギー領域において、従来よりも10倍程度高い粒子束を有するイオン照射装置を開発し、それを用いてJT-60U等の大型トカマク装置で使用されている炭素基盤材料のスパッタリング収率を測定した。照射イオン種は水素、重水素およびヘリウム、加速電圧は150~450V(50~150eVのエネルギーに相当)、粒子束は最大で10
/m
/sである。スパッタリング収率測定用試料は、一次元及び二次元の炭素せん維強化複合材、等方性黒鉛、再付着炭素層、ほう化炭素である。実験の結果、1.2
10
/m
までフルエンス依存性の見られないこと、50~150eVの範囲で穏やかなエネルギー依存性のあること、試料によって2倍程度のスパッタリング収率の違いがあること等が明らかとなった。
西堂 雅博; H.L.Bay*; H.Gnaser*; W.O.Hofer*; J.Bohdansky*; J.Roth*
J. Nucl. Mater., 145-147, p.387 - 390, 1987/00
被引用回数:1 パーセンタイル:19.06(Materials Science, Multidisciplinary)高融点金属(INTOR用ダイバータ板候補材料)であるモリブデンの酸素雰囲気における高温(500
C付近)でのスパッタリング特性を調べた。軽イオン(He
,D
)によるスパッタリング収率は重量法により、He
照射によるスパッタ粒子放出角度分布は堆積法により、また、Ar
照射によるスパッタ粒子の構成粒子分布は質量分析法によりそれぞれ測定した。 500
C付近のAr
照射で観測される酸素圧の上昇に伴なう損耗率の増加はMoO
の形で照射誘起蒸発する過程が、新らたにつけ加わるために起こることが判明した。 一方、軽イオン照射による高温でのスパッタリング収率の酸素依存性は、室温でのそれから若干異なるが、Ar
照射の場合にみられた損耗率の増加という顕著な違いはみられないことがわかった。