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論文

De-excitation in solid SiCl$$_{4}$$ following deep-core excitation at the K-edge; Relation between ion desorption and Auger decay

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 357-358, p.302 - 306, 1996/00

https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00133-1
 被引用回数：9 パーセンタイル：49.00(Chemistry, Physical)

固相SiCl$$_{4}$$の1s電子を光励起した時の脱励起過程を調べ、イオンの脱離とオージェ過程の関係を明らかにした。1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$共鳴励起後のオージェ過程では、98%以上がスペクテーター型であり、パティシペーター型の寄与は2%以下であった。Cl1s励起では、Cl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$8a$$_{1}$$共鳴励起により脱離するのに対し、Cl1s$$rightarrow$$9t$$_{2}$$共鳴励起や、より高い励起エネルギーでは、ほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められたためであると結論した。

論文

Photon-stimulated ion desorption from condensed SiCl$$_{4}$$ by resonant excitation at the K-edges

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 341, p.190 - 195, 1995/00

https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00690-7
 被引用回数：14 パーセンタイル：63.66(Chemistry, Physical)

SiCl$$_{4}$$凝縮層に、Si-及びCl-K吸収端付近のエネルギーをもつ放射光を照射した時のイオンの脱離挙動を調べた。Si1s励起ではSi$$^{+}$$、Cl$$^{+}$$、SiCl$$^{+}$$、SiCl$$_{3+}$$がほぼ同程度の強度で脱離したが、Cl1s励起では、脱離イオンの80%以上がCl$$^{+}$$であり、内殻励起による脱離に元素選択性があることを見出した。Cl1s励起におけるCl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(8a$$_{1}$$)共鳴励起により脱離し、Cl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(9t$$_{2}$$)共鳴励起や、より高い照射エネルギーではほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の構成成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から共鳴励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められるためであると結論した。

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