半導体シリコンの中性子照射によるドープ技術

山本 章

Radioisotopes, 26(11), P. 1772, 1977/11

半導体シリコンを原子炉で照射することによって、リンをドープする技術が開発され、NTDシリコンの生産が開始された。このドープ技術は、1961年にM.Tanenbaun等が最初の詳細な実験結果を発表しがた、約10年間は生産に適用されることなく忘れられた。しかし、半導体シリコンおよびその素子の生産技術が発達し、素子の性能および経済性に関する強い要求が高まり、1973年以来このドープ法が再評価され、生産を指向した実験がなされた。中性子照射によるドープ法は、シリコン中に同位体として存在するSiが(n,)反応によってSiに変換され、これが崩壊して安定なPに変換することを利用して、シリコン中にリンの必要量を均一にドープする方法である。本稿は、日本アイソトープ協会のRADIOISOTOPESの文献紹介欄に、文献紹介をかねて、このドープ技術の概要を執筆したものである。