Silicon isotope separation utilizing infrared multiphoton dissociation of SiF irradiated with two-frequency CO laser lights

横山 淳; 大場 弘則; 橋本 雅史; 勝又 啓一; 赤木 浩; 石井 武*; 大家 暁雄*; 荒井 重義*

Applied Physics B, 79(7), p.883 - 889, 2004/11

https://doi.org/10.1007/s00340-004-1642-z

シリコン同位体分離を2振動数COレーザー光照射によるSiFの赤外多光子解離を利用して行った。2振動数光照射により高い分離係数を維持したまま分離効率を向上させることができた。例えば、966.23cm(0.089J/cm)と954.55cm(0.92J/cm)の光を100パルス同時に照射し、SiFを40%分解させることでSi同位体純度99.4%のSiFが得られた。一方、954.55cmの光(0.92J/cm)のみでは同位体純度99.0%のSiFを得るのに1000パルスの照射が必要であった。SiとSiの1パルス照射あたりの分離係数は、SiF圧の増加に伴って増大した。この圧力効果の原因について周囲の気体との衝突による回転及び振動緩和の観点から議論した。