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池田 修悟; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 中島 美帆*; 桐田 伸悟*; 小林 達夫*; 辺土 正人*; 上床 美也*; 山上 浩志*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 74(8), p.2277 - 2281, 2005/08
被引用回数:10 パーセンタイル:54.39(Physics, Multidisciplinary)ガリウムの自己フラックス法により、反強磁性体UPdGaの純良な単結晶を育成することに成功した。ドハース・ファンアルフェン効果測定を行うことにより、この系には、反強磁性体UPtGa
とよく似た円柱状フェルミ面が含まれていることがわかった。また加圧下電気抵抗測定により、ネール点が3.1GPaで消失することを明らかにした。つまり加圧によって、3.1GPa以上では、反強磁性から常磁性状態へと変化することがわかった。
池田 修悟; 目時 直人; 芳賀 芳範; 金子 耕士; 松田 達磨; 大貫 惇睦
Physica B; Condensed Matter, 359-361, p.1030 - 1032, 2005/06
被引用回数:1 パーセンタイル:6.5(Physics, Condensed Matter)われわれはGaフラックス法を用いて、UPdGaの単結晶を育成することに成功した。帯磁率は弱い温度依存性を示すとともに、異方性も小さく、5
が遍歴的であると考えられる。また
=31Kにおいて、帯磁率とともに電気抵抗が急激に減少することを明らかにした。また中性子回折から、磁気構造が
=[0,0,1/2]で表されることを見いだした。0.33
の大きさを持つ
軸に平行なウランの磁気モーメントが、
面内では強磁性的に、面間では反強磁性的に結合している構造となっている。
池田 修悟; 目時 直人; 芳賀 芳範; 金子 耕士; 松田 達磨; 大貫 惇睦; Galatanu, A.
Journal of the Physical Society of Japan, 72(10), p.2622 - 2626, 2003/10
被引用回数:16 パーセンタイル:66.52(Physics, Multidisciplinary)Gaの自己フラックス法により、ウラン3元化合物UPdGaの単結晶育成を行った。磁化率は、5
電子の遍歴性と一致するような小さな温度依存性と異方性を示した。私達は、電気抵抗と磁化率測定において、ネール点31K以下に明らかな異常を確認した。磁気構造は、中性子散乱測定によって研究された。その結果、伝播ベクトル
=[0,0,1/2]の反強磁性ピークを観測した。ウラン5fの磁気モーメントは、
軸に平行で、大きさは0.33
/Uであり、
面内は強磁性的で、
軸方向に沿って反強磁性的に配列していることがわかった。