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馬場 祐治; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*
Physical Review Letters, 66(25), p.3269 - 3272, 1991/06
被引用回数:24 パーセンタイル:77.92(Physics, Multidisciplinary)固体アルゴン及びクリプトンからのAr
、Ar
、Ar
及びKr
イオンの電子衝撃脱離(ESD)挙動を10~120eVの照射エネルギー範囲で調べた。脱離に必要な照射エネルギーのしきい値は、Ar
及びAr
で24.2eV、Kr
で30eVであった。またAr
はAr
の生成に対応する84eVにおいて初めて脱離する。Ar
の脱離では、24.2eV、25.4eV、34eV、50eVに共鳴構造が認められた。前者2つの構造は、表面及びバルクに存在する隣接する2原子のエキシトン生成に対応する。25.4eVの脱離ピーク強度の厚み依存性を調べたところ、バルクのエキシトン対の拡散は、100層以上にも及ぶことが明らかとなった。