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論文

Corrigendum to "Real time observation of oxygen chemisorption states on Si(001)-2$$times$$1 during supersonic oxygen molecular beam irradiation"

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Applied Surface Science, 346, P. 580, 2015/08

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.145
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Chemistry, Physical)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. I had made a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant R = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, R = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Corrigendum to "Si 2p and O 1s photoemission from oxidized Si(001) surfaces depending on translational kinetic energy of incident O$$_{2}$$ molecules"

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Applied Surface Science, 343, P. 212, 2015/07

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.146
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Chemistry, Physical)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam and O$$_{2}$$ gas. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. I had made a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant R = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, R = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Corrigendum to "Coexistence of passive and active oxidation for O$$_{2}$$/Si(001) system observed by SiO mass spectrometry and synchrotron radiation photoemission spectroscopy"

寺岡 有殿; 盛谷 浩右*; 吉越 章隆

Applied Surface Science, 343, P. 213, 2015/07

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.147
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Chemistry, Physical)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. I had made a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant R = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, R = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Corrigendum to "Commissioning of surface chemistry end-station in BL23SU of SPring-8" [Appl. Surf. Sci. 169-170 (2001) 738-741]

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Applied Surface Science, 339, P. 158, 2015/06

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.144

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. I had made a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant R = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, R = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Erratum; SiO mass spectrometry and Si-2p photoemission spectroscopy for the study of oxidation reaction dynamics of Si(001) surface by supersonic O$$_{2}$$ molecular beams under 1000 K

寺岡 有殿; 吉越 章隆; 盛谷 浩右*

Japanese Journal of Applied Physics, 54(3), P. 039202_1, 2015/03

https://doi.org/10.7567/JJAP.54.039202
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Applied)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the supersonic O$$_{2}$$ molecular beams have been estimated by calculations. We have noticed a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant $$R$$ = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, $$R$$ = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Erratum; Oxidation of aqueous HF-treated Si(001) surface induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ at room temperature

吉越 章隆; 寺岡 有殿

Japanese Journal of Applied Physics, 54(3), P. 039201_1, 2015/03

https://doi.org/10.7567/JJAP.54.039201
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Applied)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam and O$$_{2}$$ gas. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. We have noticed a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant $$R$$ = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, $$R$$ = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Erratum; Precise control of Si(001) initial oxidation by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ molecules

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Japanese Journal of Applied Physics, 54(3), P. 039204_1, 2015/03

https://doi.org/10.7567/JJAP.54.039204
 被引用回数：2 パーセンタイル：74.81(Physics, Applied)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam and O$$_{2}$$ gas. Translational kinetic energy values of the O$$_{2}$$ molecules have been estimated by calculations. We have noticed a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant $$R$$ = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, $$R$$ = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Erratum; Initial oxidation of Si(001) induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ supersonic molecular beams

吉越 章隆; 佐野 睦*; 寺岡 有殿

Japanese Journal of Applied Physics, 54(3), P. 039203_1, 2015/03

https://doi.org/10.7567/JJAP.54.039203
 被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Physics, Applied)

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the supersonic O$$_{2}$$ molecular beams have been estimated by calculations. We have noticed a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant $$R$$ = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, $$R$$ = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

Erratum to "In-situ Si-2p core-level spectroscopy using synchrotron radiation for initial oxidation on Si(001) surfaces induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ molecules"

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Transactions of the Materials Research Society of Japan, 40(1), P. 85, 2015/03

http://doi.org/10.14723/tmrsj.40.85

We have performed experiments on surface chemical reactions using a supersonic O$$_{2}$$ molecular beam. Translational kinetic energy values of the supersonic O$$_{2}$$ molecular beams have been estimated by calculations. We have noticed a mistake in the calculations. We had calculated the translational kinetic energy with gas constant R = 1.134$$times$$10$$^{-4}$$ eV/K. However, R = 8.617$$times$$10$$^{-5}$$ eV/K is correct. Consequently, the correct translational kinetic energy values can be obtained by multiplying those in the published article by a factor of 0.76. Even if they are corrected, conclusions and the points of arguments are as they are except the translational kinetic energy values themselves.

論文

N$$^{+}$$ビーム照射で形成したSi酸窒化膜における窒素化学結合状態の放射光X線光電子分光測定

鉢上 隼介; 寺岡 有殿

真空, 48(5), p.343 - 345, 2005/05

https://doi.org/10.3131/jvsj.48.343

極薄シリコン酸化膜付きのシリコン単結晶基板に窒素イオンビームを照射してシリコン酸窒化膜を形成した。窒素イオンビームは質量選別されたN$$^{+}$$ビームである。運動エネルギーは約3keVである。照射量は6.3$$times$$10$$^{14}$$ions/cm$$^{2}$$である。これはSi(001)表面の原子密度にほぼ等しい。打ち込まれた窒素原子の化学結合状態を放射光を用いた光電子分光によって観察した。低密度の窒素イオン照射量であっても窒素の1s光電子スペクトルを四つの成分に分離することができた。N-1s光電子スペクトル形状の酸化膜厚依存性から各成分ピークの化学結合状態を推定した。

論文

高輝度かつ高エネルギー分解能放射光を用いた表面化学反応ダイナミクスの解析

寺岡 有殿

電気学会技術報告, (970), p.10 - 15, 2004/07

Si(001)表面は酸素分子によって酸化される。温度とガス圧をパラメータとして酸化膜形成,SiO脱離,その共存と反応様式は変化する。本研究によって酸素分子の持つ並進運動エネルギーも表面化学反応に影響を与える重要なパラメータであることが明らかにされてきた。室温における酸素分子の並進運動エネルギー誘起酸化,1000K以上の高温におけるSiO脱離反応に対する並進運動エネルギーの影響,900Kから1000Kの温度領域におけるSiO脱離と酸化膜形成の共存の反応機構について解説した。

論文

超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス

寺岡 有殿; 吉越 章隆; 盛谷 浩右

真空, 47(4), p.301 - 307, 2004/04

https://doi.org/10.3131/jvsj.47.301

Si(001)と酸素分子の高温における酸化反応の並進運動エネルギー効果について最近の研究成果を解説する。SiO分子の脱離収率の温度依存性,酸素の吸着曲線、及びシリコンの化学結合状態が並進運動エネルギーで変化することを述べる。酸化膜形成とSiO脱離が共存する化学反応過程に対する並進運動エネルギーの効果を議論する。

論文

Actively controlled oxidation of Cu{001} with hyperthermal O$$_{2}$$ molecular beam

岡田 美智雄*; 盛谷 浩右; 後藤 征士郎*; 笠井 俊夫*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿

Journal of Chemical Physics, 119(14), p.6994 - 6997, 2003/10

https://doi.org/10.1063/1.1615961
 被引用回数：42 パーセンタイル：77.93(Chemistry, Physical)

超熱エネルギーの酸素分子ビームを用いたCu(001)の酸化反応が放射光によるX線光電子分光法で研究された。酸化の効率は酸素ガスを用いた場合よりも大きい。2.3eVの酸素ビームを用いると0.5MLよりもさらに酸化は進むが、その効率は非常に小さい。そのような遅い酸化は表面と分子の衝突によって誘起される吸着機構によって起こる。その解離吸着反応の反応速度はラングミュア型吸着における一次の速度論で記述される。

論文

Oxidation of aqueous HF-treated Si(001) surface induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ at room temperature

吉越 章隆; 寺岡 有殿

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 42(9A), p.5749 - 5750, 2003/09

https://doi.org/10.1143/JJAP.42.5749
 被引用回数：2 パーセンタイル：10.65(Physics, Applied)

O$$_{2}$$の並進運動エネルギーによって誘起されるHF溶液によって処理したSi(001)表面の室温酸化を放射光光電子分光法と超音速分子線技術によって調べた。室温において、0.04eVの並進運動エネルギーでは、酸化は進まないことが分かった。一方、3.0eVの並進運動エネルギーの場合は、Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$及びSi$$^{3+}$$ を含む最大Si$$^{4+}$$まで酸化が進むことが明らかとなった。最終的な酸化膜厚が0.26nmであることから、最表面のSi原子が酸化していることが明らかとなった。

論文

高分解能放射光を用いたその場光電子分光法でみるSi(001)表面の酸化反応ダイナミクス

寺岡 有殿; 吉越 章隆

応用物理, 71(2), p.1523 - 1527, 2002/12

http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/oubutsu1932/71.1523

表面化学反応機構の研究にとって、入射分子の並進運動エネルギーは重要なパラメータとなる。超音速分子線と高分解能放射光を併用した表面光電子分光法を用いて、数eVの並進運動エネルギーによって誘起される新しい吸着反応がO$$_{2}$$/Si(001)系において見出され、ダングリングボンドが終端されているか否かの違いがシリコン二量体のバックボンドの酸化に決定的な影響を与えることが明らかになった。さらに、入射分子の並進運動エネルギーを制御することで、室温においてもサブナノメータの酸化膜形成が可能であることが示された。

論文

Precise control of Si(001) initial oxidation by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ molecules

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 41(6B), p.4253 - 4260, 2002/06

https://doi.org/10.1143/JJAP.41.4253
 被引用回数：39 パーセンタイル：77.84(Physics, Applied)

O$$_{2}$$分子の運動エネルギーがSi(001)面との表面化学反応に及ぼす影響を化学反応動力学の立場から研究している。これはまた一面ではナノテクノロジーの一環とみることもできる。本論文では、まず、Si(001)面の初期酸化がO$$_{2}$$分子の運動エネルギーで室温でも増速されることを示す。特にH$$_{2}$$Oが解離吸着した部分酸化Si(001)面では第一原理計算で予測されたポテンシャルエネルギー障壁が実測されることを強調する。一方清浄Si(001)面ではそのようなエネルギー障壁は観測されない。この違いを明らかにするためSi2p光電子スペクトルを比較した。その結果、清浄表面ではエネルギー障壁(1.0eV)以下の運動エネルギーでもダイマーのバックボンドが酸化されることを確認した。これはブリッジサイトでの大きな吸着熱によりバックボンドにO原子が拡散するためと解釈された。

論文

Photoemission spectroscopic study on influence of O$$_{2}$$ translational kinetic energy for Si(001) initial oxidation

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Surface Science, 507-510(1-3), p.797 - 802, 2002/06

O$$_{2}$$超音速分子線を用いてSi(001)表面り初期酸化に対するO$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーの影響を実験的に研究している。これまでに残留H$$_{2}$$O分子の再吸着で形成された部分酸化Si(001)表面の酸化で1.0eVと2.6eVに並進運動エネルギーしきい値が見いだされ、Si-2p,O-1s光電子スペクトルにもそれに対応した変化が見いだされていた。今回は清浄Si(001)面での同様の実験結果を報告する。この場合、しきい値は観測されない。Si-2p光電子スペクトルでは1eV以下であってもSi$$^{4+}$$まで酸化が進行することがわかった。つまり清浄Si(001)面では1eV以下でもダイマーのバックボンドまでO原子が拡散するため、そこでの直接的な解離吸着が抑制されると思われる。

論文

Translational-kinetic-energy-induced surface reactions; Manifestation of their potential energy barriers in O$$_{2}$$/Si(001) system

寺岡 有殿; 吉越 章隆

OMICRON Nanotechnology Newsletter, 6(1), p.4 - 6, 2002/04

表面反応ダイナミクスの研究では分子の並進運動エネルギーの作用を理解することが重要である。Si(001)面上での極薄酸化膜形成は表面反応ダイナミクス研究としてのみならずULSIにおけるゲート絶縁膜の開発にとっても重要な問題である。Si(001)面の初期酸化の際のO$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーの役割を明らかにするため、超音速O$$_{2}$$分子線と放射光光電子分光法を用いて酸化過程の並進運動エネルギー依存性を測定した。第一にH$$_{2}$$Oが解離吸着した表面の酸化では1eVと2.6eVに並進運動エネルギーしきい値を見いだした。Si-2p準位の光電子スペクトルのピーク分離から、第一のしきい値は二量体シリコンのバックボンドでの、第二のしきい値はサブサーフェイスシリコンのバックボンドでの直接的なO$$_{2}$$解離吸着のポテンシャルエネルギー障壁を表していると解釈される。

論文

O$$_{2}$$ reaction dynamics with Si(001) surfaces as observed by synchrotron radiation photoemission spectroscopy

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Atomic Collision Research in Japan, No.28, p.97 - 99, 2002/00

入射分子の並進運動エネルギーは表面反応の誘起にとって重要な因子である。われわれは超音速シード分子線技術と高エネルギー分解能光電子分光法をシリコンの初期酸化反応の解析に適用した。われわれは水吸着Si(001)表面では飽和吸着酸素量が酸素分子の並進運動エネルギーに依存して変化することを既に見出している。二つのポテンシャルエネルギー障壁が第一原理計算結果に対応して確認されている。清浄Si(001)表面で如何なる依存性を示すのかを確認する必要がある。そこで清浄Si(001)表面上での酸素分子の解離吸着の並進運動エネルギー依存性がSi-2pとO-1sに対する光電子分光を用いて調べられ、入射エネルギーがどのように極薄酸化膜の形成に影響を与えるかが明らかにされた。

論文

${it In situ}$ analysis using high resolution synchrotron radiation photoemission spectroscopy for initial oxidation of H$$_{2}$$O pre-adsorbed Si(001) surfaces induced by supersonic O$$_{2}$$ molecular beams at room temperature

吉越 章隆; 寺岡 有殿

Atomic Collision Research in Japan, No.28, p.105 - 107, 2002/00

超音速O$$_{2}$$ビームによって並進運動エネルギーを3.0eVにすると、水が解離吸着したSi(001)表面に、酸素の解離吸着が形成される。各酸化状態の時間発展を、高分解能放射光光電子分光法によるその場観察によって明らかにした。並進運動エネルギーが3.0eVの場合、第2層のバックボンドまで酸化がランダムに進むことが明らかとなった。酸化状態の時間変化から、酸化初期においてはSi$$^{4+}$$が存在しないことが明らかとなった。これは、最表面のダイマーが4つの酸素原子と結合しないことを意味する。つまり、並進運動エネルギーによってダイレクトに、Si(001)表面のサブサーフェイスのSi原子のバックボンドまで酸素分子の解離吸着が起きることを明らかにした。

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