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報告書

並列計算機上での流体解析のための実時間可視化システムの開発

村松 一弘; 大谷 孝之; 松本 秀樹*; 武井 利文*; 土肥 俊*

JAERI-Data/Code 98-014, 35 Pages, 1998/03

JAERI-Data-Code-98-014.pdf:1.83MB

並列計算機サーバ上での流体解析の結果を、ネットワークで接続されたクライアント上で解析と同時に可視化するとともに、解析及び可視化のための種々のパラメータをクライアントのGUI(Graphical User Interface)で制御する実時間可視化システムを開発した。本システムでは、並列計算機上で流体解析から画像データ生成までの過程を並列処理することにより高速化するとともに、サーバからクライアントへの画像データ転送に画像圧縮技術を用いることにより、ネットワークの負荷を軽減している。可視化処理の並列化は、Owner Computational Ruleに基づいている。またクライアント側はOS非依存の実現方式として、Javaアプレットを利用している。これによりWebブラウザさえインストールされていれば実時間可視化が可能になっている。

報告書

ガラスカートリッジの開発(その1) (2) 成果報告書

not registered

PNC TJ199 84-17VOL2, 57 Pages, 1984/03

PNC-TJ199-84-17VOL2.pdf:3.56MB

高レベル放射性廃液のセラミックメルター・ガラス固化に用いるガラスカートリッジを開発した。カートリッジ開発目標は、a)最大保液重が2.5l/kg-カートリッジ以上であること。b)有機物を全く含まないこと。c)組成は、SiO/SUB2 60.2wt%、B/SUB2/O/SUB3 19.0wt%、Al/SUB2/O/SUB3 4.8wt%、CaO 4.0wt%、BaO 4.0wt%、ZnO 4.0wt%、Li/SUB2/O 4.0wt%、であること。d)寸法は90mm以下であり、供給・移送に耐える強度を有すること。e)セラミックメルター中で溶融する際に発生する微粉を極力抑制するためのフィルター機能を有すること、である。カートリッジは次の工程を経て製造された。1)ガラス長繊維の製造。2)一定長に切断したチョップドストランドの製造。3)抄造および無機質バインダーの塗布によるガラス繊維シートの作製。4)シートの円筒状巻きあげによるガラスカートリッジ(70 Dia x 70mm)の作製。カートリッジに充分な保水性・強度を与えるために無機質バインダーを開発した。カートリッジは、無機質バインダー15wt%(酸化物基準)とガラス繊維85wt%から成る。カートリッジ(酸化物基準で38.4g/個)一個当たりの最大保液量は242ml(廃液はSW-11 脱硝濃縮液)で、6.3l/kg-カートリッジに相当する。最大保液状態のカートリッジ(70 Dia x 70mm)は、軸方向に対する46kgの荷重に耐える。セラミックメルターでの評価のためにカートリッジ250kgを製造した。

報告書

ガラスカートリッジの開発,1; 昭和58年度

和田 正道*; 山本 茂*; 今井 克彦*; 菅谷 和博*; 立入 勝*

PNC TJ199 84-17VOL1, 17 Pages, 1984/03

PNC-TJ199-84-17VOL1.pdf:1.82MB

高レベル放射性廃液のセラミックメルター・ガラス固化に用いるガラスカートリッジを開発した。カートリッジ開発目標は、a)最大保液重が2.5l/kg-カートリッジ以上であること。b)有機物を全く含まないこと。c)組成は、SiO/SUB2 60.2wt%、B/SUB2/O/SUB3 19.0wt%、Al/SUB2/O/SUB3 4.8wt%、CaO 4.0wt%、BaO 4.0wt%、ZnO 4.0wt%、Li/SUB2/O 4.0wt%、であること。d)寸法は90mm以下であり、供給・移送に耐える強度を有すること。e)セラミックメルター中で溶融する際に発生する微粉を極力抑制するためのフィルター機能を有すること、である。カートリッジは次の工程を経て製造された。1)ガラス長繊維の製造。2)一定長に切断したチョップドストランドの製造。3)抄造および無機質バインダーの塗布によるガラス繊維シートの作製。4)シートの円筒状巻きあげによるガラスカートリッジ(70 Dia x 70mm)の作製。カートリッジに充分な保水性・強度を与えるために無機質バインダーを開発した。カートリッジは、無機質バインダー15wt%(酸化物基準)とガラス繊維85wt%から成る。カートリッジ(酸化物基準で38.4g/個)一個当たりの最大保液量は242ml(廃液はSW-11 脱硝濃縮液)で、6.3l/kg-カートリッジに相当する。最大保液状態のカートリッジ(70 Dia x 70mm)は、軸方向に対する46kgの荷重に耐える。セラミックメルターでの評価のためにカートリッジ250kgを製造した。

報告書

高レベル廃液のガラス個化技術に関連する溶融ガラス流出機構開発に関する試験

浦川 忠彦*

PNC TJ199 79-07, 20 Pages, 1979/02

PNC-TJ199-79-07.pdf:1.25MB

高レベル廃液のガラス固化処理の技術開発の一環として、セラミックメルターで模擬酸化物を含むガラスを溶融し、これをキャニスターへ注入して固化する試験が、東海事業所で行われてきた。しかしながら、一連の試験で、(1) セラミックメルターからキャニスターへ溶融ガラスを円滑に流出させることが、必ずしも容易でない。(2) 溶融ガラスの流出停止操作が、必ずしも円滑に行えない。(3) 流出作業停止後、糸状のガラスがキャニスター口部と、セラミックメルターの流出口の間に残存したり、あるいは、流出口部へ残存したガラスが、冷却時に飛散しやすい。などの問題点があることがわかった。これらの従来の設備のもっている問題点を解消するためには、新しい「流出機構」を開発する必要がある。新たな「流出機構」の一つとして、流出口へノズルを設け、このノズルを直接通電加熱して、ガラスの流出開始を容易にし、ガラスの流出の停止は、ガラスの減圧吸引や シェアカットおよびノズルの冷却等の操作を組み合わせることによって、行う方法が考えられる。本試験は、上記の「流出機構」の可能性を確めるために行った予備的な基礎実験である。期間が短かったため、定量的な検討は行なわず、定性的な観察を主として行った。

報告書

結晶化ガラス法による高レベル廃液個化処理試験

二宮 正幸*; 山中 俊郎*; 仲村 繁治*; 坂根 崇*; 河村 励*

PNC TJ199 79-04, 124 Pages, 1979/02

PNC-TJ199-79-04.pdf:7.68MB

高レベル廃液の固化処理に適する結晶化ガラスの組成系を見出すための調査を前年度に引きつゞき行った。今年度の調査では主としてモデル酸化物を30wt.%含有する組成系について調査した。主結晶相として、ディオプサイド、セルシアン、ペロブスカイトの析出する系について、1300$$^{circ}C$$、2hrの溶融により得られたガラスを再加熱して結晶化させ、各系で最も結晶化状態の良かった試料を中心に、耐水性、熱的安定性等の評価を行った。その結果、モデル酸化物を30wt.%含有させた場合においても、前年度に行った20wt.%含有の場合と同様に、ディオプサイド系の結晶化ガラスが最も固化処理に適するものである事が分った。ディオプサイド系の結晶化ガラスが固化体として優れた特性を有する事が分ったが、その製造にはガラスを結晶化させるための工程が必要となる。この結晶化工程を簡略化する事を目的として、ガラスを融液から冷却する過程で結晶化させる方法について検討した。その結果、キャニスターに断熱を施しておくと、ガラスを注入後放冷する過程で結晶化ガラスが得られる事が分った。この方法によれば、従来のガラス固化と殆んど同じ方法で結晶化ガラス固化体を製造する事が可能になるものと考えられる。

報告書

結晶化ガラス法による高レベル廃液固化処理試験

not registered

PNC TJ649 78-01, 86 Pages, 1978/03

PNC-TJ649-78-01.pdf:3.73MB

高レベル廃液の固化処理に適する結晶化ガラスの組成系を見出すために、高レベル廃液モデル酸化物を20$$sim$$30重量%を含む結晶化ガラスの調査を行った。主結晶として、ディオプサイド、セルシアン、ペロブスカイト、ユークリプタイト及びネェフェリンの析出する系を選び、1300$$^{circ}C$$、2時間の溶融によりガラス化する範囲を求め、得られたガラスを熱処理して結晶化の状態を調べた後、各系で最も結晶化状態の良かった試料を中心に、耐水性、機械的強度、熱伝導率、熱的安定性、等の評価を行った。その結果、高レベル廃液モデル酸化物を20重量%含有させた場合には、ネフェリン系をのぞいて緻密で軟化変形の少ない結晶化ガラスが得られ、そのうちでディオプサイド系の結晶化ガラスが最も固化処理に適することがわかった。高レベル廃液モデル酸化物を30重量%含有させた場合には、20%の場合に比べてガラスの二相分離が一層起りやすくなり、ガラス化する領域が狭くなった結果、良い結晶化ガラスが得られる組成を見出しにくくなった。ディオプサイド系とペロブスカイト系が良い結晶化状態を示したが、特性的にいづれが秀れているかを決定するためにはさらにくわしい調査が必要である。

口頭

フォノンとスピンゼーベック効果

安立 裕人

no journal, , 

スピンゼーベック効果は、局在磁化の低エネルギー励起であるマグノンの分布関数が局所熱平衡からずれることによって生じること、またマグノンの局所熱平衡からのずれを引き起こすのは強磁性体内を流れるマグノン流及びフォノン流であることなどが明らかとなってきた。講演では、熱電現象の分野で知られているフォノンから伝導電子への運動量移行(エレクトロン・フォノンドラッグ)と、スピンゼーベック効果におけるフォノンからマグノンへのエネルギー移行(マグノン・フォノンドラッグ)の対応関係を中心に議論する。

口頭

スピン波による一方向性熱輸送の理論

安立 裕人; 前川 禎通

no journal, , 

近年、熱によってスピントロニクス素子を操作しようという研究が盛んに行われ、スピンカロリトロニクスという一分野を形成しつつある。ごく最近になって、磁性体表面を一方向にしか進まない特殊なスピン波による一方向性の熱輸送現象が実証され、大きな注目を集めている。講演では、フォノンによる左右対称な熱拡散と、Daman-Eshbachスピン波に伴う一方向性の熱ドリフトとの競合でこの実験を解釈できることを議論する。

口頭

スピン熱電素子の耐ガンマ線照射耐性

岡安 悟; 武山 昭憲*; 大島 武*; 針井 一哉*; 家田 淳一; 石田 真彦*; 齊藤 英治

no journal, , 

スピン-エネルギー変換材料科学研究グループでは放射線に強いとされるスピントロニクス材料の原子力分野での応用を目指している。前回の学会ではスピン熱電素子の耐重イオン照射特性について調べた。素子は重イオン照射による円柱状欠陥形成でダメージを受けるが未照射部分は健全性を保ち続けること、また使用済み核燃料キャスク周辺での利用で十分な寿命を有することを報告した。今回は耐ガンマ線照射線特性について報告する。同素子へのガンマ線照射に関してはYagmurらの論文で、0.3MGyまでの照射で素子の健全性が保たれることが報告されている、我々はさらに過酷な環境下での使用を想定し、$$sim$$1MGyまでの室温ガンマ線照射、および150$$^{circ}$$Cでの照射を行ったのでその結果を報告する。

口頭

Irradiation tolerance of spin-driven thermoelectric device against gamma-rays

家田 淳一; 岡安 悟; 武山 昭憲*; 針井 一哉*; 大島 武*; 石田 真彦*; 齊藤 英治

no journal, , 

We investigate irradiation tolerance against gamma-rays of a prototypical spin-driven thermoelectric (STE) device based on Y$$_3$$Fe$$_5$$O$$_{12}$$/Pt heterostructures. The past study has proved that the STE device was rad-hard against the gamma-irradiation dose up to 0.3 MGy. In this study, we assess the radiation hardness in severer environments, such as higher dose levels, higher ambient temperatures, and water steam, assuming the future RTG usage near the spent nuclear fuel storage. We show that the Y$$_3$$Fe$$_5$$O$$_{12}$$/Pt STE device has tolerance to irradiation of gamma rays up to 0.9 MGy even at 150 $$^circ$$C. On the other hand, we observe the performance degradation of the STE device by the gamma-irradiation under the water steam. From a control experiment without gamma-rays, the irradiation is irrelevant, and the damage is caused solely by the water steam effect. To avoid the damage, it is found that the thicker Pt film (10 nm) in the STE device is effective. Therefore, it was clarified that the STE device has fundamentally high resistance to gamma rays.

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