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末光 眞希*; 山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 遠田 義晴*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
Journal of Vacuum Science and Technology B, 27(1), p.547 - 550, 2009/02
被引用回数：4 パーセンタイル：29.64(Engineering, Electrical & Electronic)Si(110)表面の初期酸化過程と酸化膜中のSi原子の化学結合状態をシンクロトロン放射光を用いたリアルタイム光電子分光法で研究した。Si
(
=1-4)成分の時間発展は、1モノレーヤーまで酸化する間、Si
成分が常にSi
成分より強いことを示した。これはSi(001)酸化の場合に常にSiの方がSiより強いことと非常に対照的である。Si成分が優勢であることは、Si(110)表面の二種類の結合の存在と、それらに酸素原子が挿入されるときの反応性の違いに関係している。
山本 喜久*; 鈴木 康*; 宮本 優*; Bantaculo, R.*; 末光 眞希*; 遠田 義晴*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 朝岡 秀人; 山崎 竜也
薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告, p.207 - 210, 2009/01
本研究では、Si(110)表面が酸素で被覆される際の基板の反りを光学的に測定し、(001)方向と(-110)方向について酸化時の曲率の変化を評価した。また、酸素吸着量及び化学結合状態の時間発展を光電子分光により評価し、基板曲率測定の結果と併せてSi(110)酸化の異方性について検討した。基板曲率はmulti-beam optical sensorシステムを用いた。光電子分光はSPring-8のBL23SUに設置された表面化学実験ステーションで行い、O1sから酸素吸着量を、Si2pから化学結合状態を評価した。酸化は両実験とも5.0ないし6.7
10
Paの純酸素ガスで行い、基板温度は600
Cとした。(-110)方向では酸化膜側が凸になる圧縮性の応力が生じるのに対し、(001)方向には酸化膜側が凹になる伸張性の応力が生じた。光電子分光実験では、Si(110)表面ではlayer-by-layer様式で酸化が進行しない結果を得ている。(001)方向に伸張性の応力が作用するという曲率測定の結果は、(001)方向成分を有するB-bondへの酸素結合を支持する。
山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 今野 篤史*; 松本 光正*; 加藤 篤*; 齋藤 英司*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆
信学技報, 108(80), p.65 - 70, 2008/06
Si(110)表面の熱酸化膜形成過程及びその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた。その結果、酸化開始直後から1原子層(ML)酸化膜形成にいたるまで、Si(110)面の酸化では一貫してSi成分が多いことがわかった。また、870K酸化ではラングミュア型であったO 1sスペクトルの面積強度の時間発展が、酸化温度920Kでは2次元島状成長に対応するシグモイド型の曲線となり、Si(001)面酸化で見いだされた自己触媒反応モデルがSi(110)面酸化にも適用可能であることを確認した。
山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 今野 篤史*; 松本 光正*; 齋藤 英司*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆
no journal, ,
Si(110)面上の極薄酸化膜の形成過程をリアルタイム放射光光電子分光を用いて調べた。一原子層酸化膜中のSiサブオキサイドの分布を定量的に解析し、Si(110)面酸化膜中のSi-O結合構造を考察した。873K, 酸素圧力1.010
Paの条件でSi(110)面上に形成した一原子層酸化膜からのSi 2p光電子スペクトルの解析によって、Si
成分が支配的なSi(001)酸化と異なり、Si
が支配的であることがわかった。Si(110)面には同一層内のSi原子を横に繋ぐ密なA結合と、隣接層間のSi原子を縦に繋ぐ疎なB結合がある。Siが支配的なのは、歪の蓄積しやすいA結合の一部が未酸化のまま膜中に残されるためと解釈された。
末光 眞希*; 山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
Si(110)表面の初期酸化過程やSiO
/Si(110)界面のSi原子の化学結合状態を放射光を用いたリアルタイム光電子分光法を活用して研究した。Si2p光電子スペクトルにおけるSi成分の中では1原子層まで常にSi成分がSi成分を上回って主要であった。これはSi(100)表面の酸化ではSi成分がSi成分より強かったことと対照的である。Si成分の優勢さはSi(110)表面のSi原子の二つの結合型の酸化反応性が異なることに関連があると思われる。
