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放射線高度利用施設部
JAEA-Review 2005-001, 412 Pages, 2006/01
JAEA-Review-2005-001-p0001-p0126.pdf:11.34MBJAEA-Review-2005-001-p0127-p0267.pdf:15.12MBJAEA-Review-2005-001-p0268-p0412.pdf:11.05MB
本年次報告は、イオン照射研究施設(TIARA)において、2004年4年1日から2005年3月31日までの間に行われた研究活動の概要をまとめたものである。この報告書の内容は、(1)宇宙用半導体材料・素子、(2)バイオ技術、(3)放射線化学及び有機材料、(4)無機材料、(5)材料分析・解析、(6)核科学及びラジオアイソトープ製造技術、(7)マイクロビーム応用技術、(8)加速器施設の放射線遮蔽、(9)加速器技術の合計9分野にわたり、全121編の研究報告を収録している。またこれらに加えて加速器装置の運転保守,照射施設の利用状況、公表された文献、企業・大学等との研究協力関係、さらには研究開発・施設運営組織等も掲載している。本報告は、旧日本原子力研究所において行われた研究活動の概要をまとめたものである。
関西光科学研究所
JAEA-Review 2005-002, 152 Pages, 2006/01
JAEA-Review-2005-002.pdf:15.42MB
本報告書は、日本原子力研究所関西研究所の第6号の年報であり、2004年4月1日から2005年3月31日までの期間(平成16年度)に行われた光量子科学研究センター及び放射光科学研究センターの研究活動をまとめたものである。日本原子力研究所は10月1日から独立行政法人日本原子力研究開発機構となり、関西研究所は関西光科学研究所となった。本報告書の研究は旧名称時の研究であるため従来の所属表示としてある。
佐藤 治夫
JAEA-Review 2005-003, 18 Pages, 2006/02
JAEA-Review-2005-003.pdf:4.9MB
2005年10月6
7日、東京工業大学において、「放射性廃棄物処分2005; 天然バリアと人工バリア間の相互作用に関する第2回日韓合同ワークショップ」が開催された。日韓双方から述べ30人程度が参加した。韓国からは、韓国地質資源研究院や現代建設から6人が出席した。発表は、韓国から4件、日本から13件と合計17件行われ、活発な議論が展開された。当時は、プロシーディングスが配布された。本報告書は、ワークショップに参加して得られたトピックスを紹介する。
研究炉加速器管理部
JAEA-Review 2005-004, 147 Pages, 2006/01
JAEA-Review-2005-004.pdf:9.89MB
本年次報告書は、東海研究所の原研タンデム加速器及びブースターを利用し、2004年4月1日から2005年3月31日までの間に行われた研究活動をとりまとめたものである。(1)加速器の運転状況及び開発,(2)原子核構造,(3)原子核反応,(4)核化学,(5)原子核理論,(6)原子分子物理及び固体物理,(7)材料の照射効果の7部門にまたがる48編の研究報告,公表された文献,関与した職員及び大学等との協力研究のリストを収録している。
JT-60チーム
JAEA-Review 2005-005, 196 Pages, 2006/01
JAEA-Review-2005-005.pdf:16.19MB
2003年及び2004年のJT-60U実験結果をレビューする。定常先進トカマク研究では、電流分布緩和やプラズマ壁相互作用の変化等に対する特徴的な時間スケールより長時間に渡る高プラズマパラメータの維持に関して進展を得た。運転,加熱及び計測システムの制御系の改造により、高
Hモードプラズマにおいて高い規格化ベータ値(
)2.3を22.3秒間維持することに成功した。この維持時間は、電流分布緩和時間(
)の13.1倍に相当する。これらのプラズマでは、長時間スケールでのリサイクリング増加による閉じ込め劣化が高の維持時間を制限する一つの要因となっている。リサイクリングの変化に関しては、長時間ELMy Hモードプラズマにおいて、長時間放電を数ショット繰り返した後に放電後半で第一壁での粒子吸蔵量が飽和していることを明らかにした。先進トカマク開発に関しては、高閉じ込め状態
1.0を維持しつつ、自発電流割合(
)45%にて完全非誘導電流駆動に近い状態で、準定常高 ELMy Hモードプラズマを5.8秒間(2.8に相当)維持した。負磁気シアプラズマでは、より高い自発電流割合(
75%)を、1.7において完全非誘導電流駆動に近い状態で7.4秒間(2.7に相当)維持した。物理研究に関しても、新古典テアリングモードの抑制,小振幅ELM,プラズマ壁相互作用等で多くの成果を得た。加熱装置に関しては、トーラスへの総入射エネルギー350MJを達成した。
NTD技術検討会
JAEA-Review 2005-006, 56 Pages, 2006/01
JAEA-Review-2005-006.pdf:5.75MB
中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)は高性能の電力制御用半導体素子(パワーデバイス)への応用が期待され、ハイブリッド車の増産等に伴い、その需要が急激に増大するものと見込まれる。このような需要増大に対応するため、研究炉等(JRR-3, JRR-4及びJMTR)によるNTD-Si増産の技術的課題を検討し、以下の方策を提案するに至った。(1)JRR-3では、Si照射装置の簡易的な改造で約2倍の増産が見込める外部冷却法の検討を優先的に進める。また、Si照射装置を全自動化する方法を長期的に検討し、約4倍の増産を目指す。(2)JRR-4では、NTD-Si製造量拡大のため、8インチ径に止まらず12インチ径のSiインゴット照射が可能な照射筒の炉心タンク外への設置を優先的に検討する。(3)JMTRでは、8インチ径及び6インチ径用の照射装置を整備して年間約30トンのNTD-Si製造を目指す。上記の提案を実施した場合、NTD-Si製造能力を年間約46トン(現在の生産能力の約10倍)まで高められ、現在の国内需要(年間約90トン)の約50%までの供給を満たすことが可能となる。NTD-SiC半導体を基板とするパワーデバイスはSiデバイスよりさらなる性能向上が見込めることから、SiC半導体のNTD技術については国内の産業界及び研究機関と密接に連携しながら研究開発を進めることが重要である。