Electronic properties of femtosecond laser induced modified spots on single crystal silicon carbide

フェムト秒レーザーによって改質した単結晶SiCの電気特性

富田 卓朗*; 岩見 勝弘*; 山本 稔*; 出来 真斗*; 松尾 繁樹*; 橋本 修一*; 中川 圭*; 北田 貴弘*; 井須 俊郎*; 齋藤 伸吾*; 阪井 清美*; 小野田 忍; 大島 武

Tomita, Takuro*; Iwami, Masahiro*; Yamamoto, Minoru*; Deki, Manato*; Matsuo, Shigeki*; Hashimoto, Shuichi*; Nakagawa, Yoshinori*; Kitada, Takahiro*; Isu, Toshiro*; Saito, Shingo*; Sakai, Kiyomi*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

フェムト秒レーザーを用いて炭化ケイ素(SiC)の改質を試みた。フーリエ変換赤外分光法(FTIR)法を用いて改質領域を調べた結果、残留線バンドの強度が減少し、この現象が結晶性の劣化によるものと説明できた。また、残留線バンドが偏波依存性を有することがわかり、この特性を活かすことで赤外領域で動作する光学素子への応用が期待できる。電流電圧特性測定とホール係数測定の結果、改質後の電気伝導度が改質前に比べて4桁以上も大きい5.910mになることがわかり、フェムト秒レーザーによりSiCの電気特性を改質できることを明らかにした。

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