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Analysis of mutation induced by ion beams and $$gamma$$-rays in vacuum-dried conidia of ${it Aspergillus oryzae}$

イオンビームと$$gamma$$線によって麹菌の真空乾燥分生子に生じる突然変異の解析

伊藤 考太郎*; 半谷 吉識*; 佐藤 勝也; 鳴海 一成

Ito, Kotaro*; Hanya, Yoshiki*; Sato, Katsuya; Narumi, Issei

本研究では、真空乾燥させた分生子にイオンビーム及び$$gamma$$線を照射し、変異誘発の効果を調べた。真空乾燥分生子は、300Gy以上において、$$gamma$$線よりもイオンビームに対して高感受性を示した。イオンビーム照射では、20株の5-フルオロオロチン酸(5FOA)耐性かつウラシル要求性変異株が取得できたのに対し、$$gamma$$線照射では、変異株を取得することができなかった。5FOA耐性かつウラシル要求性の原因因子として、${it pyrG}$及び${it pyrF}$遺伝子変異が知られている。得られた変異株について、それぞれの遺伝子をPCR増幅させた結果、20株中、${it pyrG}$, ${it pyrF}$遺伝子のみ、あるいは両遺伝子がともに増幅されない株が、それぞれ3, 5及び5株あった。残りの7株のうち、5株は欠失変異、1株は1塩基置換による変異、残りの1株は1塩基挿入変異であった。真空乾燥条件下で照射することにより、間接効果を低減させ、イオンビームの直接効果の影響が大きくなり、大規模な変異が起こったものと考えられた。

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