検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 5 件中 1件目~5件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

X-ray-induced ion desorption from solid surfaces

馬場 祐治

Trends in Vacuum Science & Technology, Vol.5, p.45 - 74, 2002/10

100eVから3keVの軟X線を固体に照射したときに表面で起こる化学反応に関し、分解イオンの脱離反応を中心に解説した。主として取り扱った系は、内殻電子励起による吸着系,凝縮系,固体分子からの正イオンの脱離である。内殻軌道から価電子帯の非占有軌道への共鳴励起に対応するエネルギーのX線を照射すると、特定の元素周辺や、特定の化学結合を選択的に切断して特定の分解イオンを表面から脱離させることができる。このような選択性は、第三周期元素の1s軌道から4p軌道への共鳴励起において特に顕著に現れる。共鳴励起後の脱励起は主としてオージェ遷移によって起こることから、内殻イオン化閾値付近のX線エネルギーにおいてオージェ電子スペクトルも測定した。一連の研究で観測された高選択的なイオン脱離反応の機構に関し、電子及び脱離イオン強度のX線エネルギー依存性とオージェ電子スペクトルの結果に基づいて詳細に議論した。

論文

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates on Si(100) in the carbon 1s absorption edge

関口 哲弘; 関口 広美*; 馬場 祐治

Surface Science, 454-456, p.363 - 368, 2000/05

 被引用回数:23 パーセンタイル:72.41(Chemistry, Physical)

シリコン(Si)半導体上における簡単な炭化水素分子の表面科学反応はSiC薄膜生成などの応用面からの要請も相俟って活発に進められている。本研究においては室温及び低温(93K)のSi基板上にアセトン((CH$$_{3}$$)$$_{2}$$CO)を吸着させた系について放射光からの軟X線を励起光源として起こる解離反応を調べた。アセトンは放射光の励起エネルギーを変えることにより、分子中の(-CH3とC=Oの)二種類の炭素原子を選択して内殻励起することができると考えられている。放射光照射により生じるイオン脱離生成物を四重極質量分析により検出した。単分子~約50分子吸着層についてフラグメント収量の励起光エネルギー依存性を測定した。実験結果としてはメチル基(CH$$_{3}$$)の炭素が内殻励起された場合のみ、CH$$_{n}^{+}$$(n=0-3)イオンが顕著に生成することがわかった。この結果はこの共鳴励起でC-C結合が特に顕著に切断されていることを示唆している。

論文

Photodesorption from mono- and multilayer trimethylsilylfluoride (Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$F) physisorbed on Cu(111) following Si K-shell excitation

関口 哲弘; 馬場 祐治

Photon Factory Activity Report 1998, Part B, P. 261, 1997/11

電子励起による固体表面からの脱離過程は基礎的な物理過程の一つである。脱離生成物の種類や収量が吸着環境(基板との相互作用、スタッキング配向度、クラスター分子数など)に敏感であることが知られているがあまり系統的に研究されていない。本研究は銅(111)基板上に単分子及び多分子層Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$Fを吸着させた系についてSi内殻電子励起により起こるイオン脱離過程を調べた。イオン収量の吸着量依存性曲線はそれぞれのイオン種に特徴的であった。CH$$_{3+}$$やF$$^{+}$$は1分子層表面で生じ、多層吸着でも大きな増加は示さない。一方、SiX$$^{+}$$,SiX$$_{3+}$$,SiX$$_{3+}$$,X=CH$$_{3}$$,Fは約3分子層から生じ始め約10分子層まで増加するが、それ以上吸着量を多くしても脱離収量は増えない。(1)金属基板との相互作用による脱励起過程は約3分子層以下で起こること、(2)イオン脱離は常に最上層の10分子層以内から生じることなどが結論された。

論文

Production of elemental iodine from radioactive methyl iodide under sunlight

松井 浩; 野口 宏; 吉田 芳和

Journal of Nuclear Science and Technology, 16(7), p.527 - 530, 1979/00

 被引用回数:0

原子力施設から放出される放射線ヨウ素の環境条件下における性状変化を明らかにするため、その第1段階として、放射性ヨウ化メチルの太陽光による性状変化を調べた。初期濃度10$$^{-}$$$$^{6}$$~10$$^{-}$$$$^{4}$$g/cm$$^{3}$$の放射性ヨウ化メチルを、温度10~25$$^{circ}$$C、相対湿度20~40%、濾過空気1気圧の条件下で、数時間太陽光に曝した。その結果、元素状ヨウ素は最大0.3%生成されたが、大部分はヨウ化メチルの形で存在していた。反応容器内に銀が存在する場合には、ヨウ化メチルは多く分解し、銀と反応した元素状ヨウ素は約80%に達した。

論文

錯体水溶液の光化学

大野 新一

化学の領域, 27(7), p.562 - 567, 1973/07

錯体の光または放射線分解は、錯体の電子励起が起因となって起こる。異なる励起状態からは異なる反応生成物が期待される。このような観点からなされた最近の研究成果、研究進展の状況をシアノ鉄錯体を中心として解説した。また固相と水溶液における実験、光照射と放射線照射の実験から得られる情報の一般的特徴を比較し、簡単に論じた。

5 件中 1件目~5件目を表示
  • 1