Nishijima, Toshiji*; Oshima, Takeshi; Lee, K. K.
2MeV-H
イオンを用いたイオンビーム誘起電流(IBIC)測定によりシリコン(Si)pnダイオード及び炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの照射欠陥を評価した。照射量の増加とともIBICパルス強度が減少し、Si pnダイオードでは9.2E12/cm
のHイオン照射後、パルス強度は未照射の85%まで減少する結果が得られた。また、SiCショットキーダイオードでは6.5E12/cm照射後に未照射に比べ50%までIBICパルス強度が減少した。IBICパルス強度の減少は照射により発生した結晶損傷に起因すると考えられ、IBIC測定が半導体素子の照射損傷を評価するのに利用できることが示された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 190 |
号 |
: | 1-4 |
ページ数 |
: | p.329 - 334 |
発行年月 |
: | 2002/05 |
発表会議名 |
: | 15th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2001) |
開催年月 |
: | 2001/07 |
開催都市 |
: | Cairns |
開催国 |
: | Australia |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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パーセンタイル：58.11 分野：Instruments & Instrumentation |
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