Hijikata, Yasuto*; Yaguchi, Hiroyuki*; Yoshikawa, Masahito; Yoshida, Sadafumi*
六回周期六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)基板上に成長させた酸化膜とSiC界面の酸化後アニーリングによる構造変化を調べた。6H-SiC基板を1200
1時間ドライ酸化した試料,12001時間ドライ酸化した後1200アルゴン中で1時間アニーリングした試料,1200 1時間ドライ酸化した後1200アルゴン中で1時間アニーリングした試料をさらに950で1時間水蒸気雰囲気でアニーリングした試料を作製した。これら試料をMOS構造に成型し、CV特性を測定して界面準位量を測定した。また、同じ試料の表面酸化膜をフッ酸溶液を用いて斜めにエッチングし、酸化膜と6H-SiC基板界面近傍に存在する炭素とその関連の化合物量を、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定して、CV特性から得られる界面準位量との相関を調べた。その結果、炭素関連の化合物(C-O,C)と界面準位との間に強い相関が認められた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 389-393 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1033 - 1036 |
発行年月 |
: | 2002/05 |
発表会議名 |
: | International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) |
開催年月 |
: | 2001/10 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | MOS; XPS; CV; Interface Layer; 6H-SiC |
論文URL |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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