Naramoto, Hiroshi; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa
ヘテロエピタキシャル結晶成長の初期過程を調べるため、互に固溶しない2つの系で(Cu,Nb; C,Ir)、イオン注入・及びイオンビーム解析を低温で行った。デュアルビーム解析システムを用いて、30~60Kの温度領域でCuイオンをNbに注入したり、CイオンをIrに注入した。基板にはいずれも高品質の単結晶薄膜を用い、注入元素の結晶学的存在状態を、ラザフォード散乱法と組み合せたチャネリング解析(Cu→Nb系)及びラザフォード散乱/核反応(
C(d,p)
C)と組み合せたチャネリング解析(C→Ir)により調べた。その結果、(1)注入させたCuはNb中を低温でも拡散して表面に集積して、ヘテロエピタキシャル成長することを見いだした。ただし、このCu格子は立方晶からずれている可能性が高い。(2)注入されたCは、Ir中で
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方向に沿って整列していること、及びCH
を注入した場合にはIrに存在し得ないことを見いだした。これらの成果について討論する。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 161-163 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.534 - 538 |
発行年月 |
: | 2000/03 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1999/07 |
開催都市 |
: | Dresden |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
: | Cu; Nb; C; Ir; Implantation; Immiscible; RBS/Channeling |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：20.02 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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