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RBS/NRA/channeling analysis of implanted immiscible species

非固溶性元素を注入した物質のRBS/NRA/チャネリング解析

楢本 洋; 山本 春也; 鳴海 一雅

Naramoto, Hiroshi; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa

ヘテロエピタキシャル結晶成長の初期過程を調べるため、互に固溶しない2つの系で(Cu,Nb; C,Ir)、イオン注入・及びイオンビーム解析を低温で行った。デュアルビーム解析システムを用いて、30~60Kの温度領域でCuイオンをNbに注入したり、CイオンをIrに注入した。基板にはいずれも高品質の単結晶薄膜を用い、注入元素の結晶学的存在状態を、ラザフォード散乱法と組み合せたチャネリング解析(Cu→Nb系)及びラザフォード散乱/核反応($$^{12}$$C(d,p)$$^{13}$$C)と組み合せたチャネリング解析(C→Ir)により調べた。その結果、(1)注入させたCuはNb中を低温でも拡散して表面に集積して、ヘテロエピタキシャル成長することを見いだした。ただし、このCu格子は立方晶からずれている可能性が高い。(2)注入されたCは、Ir中で$$<$$100$$>$$方向に沿って整列していること、及びCH$$_{3}^{+}$$を注入した場合にはIrに存在し得ないことを見いだした。これらの成果について討論する。

no abstracts in English

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パーセンタイル:20.07

分野:Instruments & Instrumentation

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