ポリカルボシラン(PCS)と炭化ケイ素粉末を用いてセラミックの前駆体となるマトリックスを生成するために改良ゲル-鋳型法を開発した。この方法で生成した前駆体を、ヘリウムガス中で2MeVの電子線により約15MGyまで照射し不融化した後、アルゴンガス中で1300
Cで焼成し、セラミック化した。この炭化ケイ素セラミックの微細構造を光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡で観察した結果、炭化ケイ素粉末粒子はPCSが無機化したSiCと良く結合していることがわかった。改良ゲル-鋳型法は、前駆体のシート状試料内に内部応用をほとんど残さないため、機械的特性に影響するような表面亀裂や内部亀裂は観察からも認められなかった。今回の結果は高品質のSiC/SiCセラミック複合材を開発するうえで、基礎的知見となる。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.156 - 161 |
発行年月 |
: | 2003/03 |
発表会議名 |
: | 3rd International Symposium on Material Chemistry in Nuclear Environment (Material Chemistry '02) |
開催年月 |
: | 2002/03 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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