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Ab initio molecular orbital study of the O($$^{1}$$D) insertion into the C-C bond in cyclopropane and ethane

シクロプロパン及びエタンのC-C結合に対するO($$^{1}$$D)挿入反応についての非経験的分子軌道法による研究

黒崎 譲; 高柳 敏幸

Kurosaki, Yuzuru; Takayanagi, Toshiyuki

シクロプロパンのC-C結合に対するO($$^{1}$$D)挿入反応の入り口付近における5つの最低一重項ポテンシャルエネルギー面を、CASPT2/cc-pVDZレベルで計算した。その結果、5枚のポテンシャル面の内の最も下にあるものは、入り口付近で引力的であるのに対し、他の4枚は斥力的であることが予測された。比較のため、エタンについて同様の計算を行った結果、5枚のポテンシャル面は入り口付近ですべて斥力的であることが予測された。これらの計算結果は、O($$^{1}$$D)とアルカン分子の反応についての最近の実験結果と矛盾しない。

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パーセンタイル:8.50

分野:Chemistry, Physical

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