反射高速陽電子回折による表面研究

Surface study using reflection high-energy positron diffraction

河裾 厚男; 一宮 彪彦*

Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko*

これまで原研において、世界で初めて開発した反射高速陽電子回折法の原理からそれを用いたSiC表面構造研究まで、最新のトピックスを含めて解説する。反射高速陽電子回折では、電子の場合には、決して起こらない表面全反射現象が出現する。これは、一宮によって運動学的考察と動力学回折理論の両面から与えられた理論的予測であった。一方、われわれのグループでは、この予測を実証すべく装置開発を推進し、一次ラウエ斑点を含むほぼ完全な回折パターンの観測に至った。その後、S(111)表面の構造解析を行い、赤外吸収や原子間力顕微鏡では、見つけることが難しかった表面ラフネスの検出に成功した。最近では、高温水素処理したSiC表面,犠牲酸化したSiC表面を評価し、Si-Oが表面に付着しており、全反射回折強度のオフブラッグ反射を誘発することが判明した。Si-O結合長距離を決定し、従来の値との比較を進めている。

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