The Postspinel Phase Boundary in Mg $_{2}$ SiO $_{4}$ Determined by in Situ X-ray Diffraction

その場X線観察により決定されたMg $_{2}$ SiO $_{4}$ のポストスピネル相境界

入舩徹男*; 西山宣正*; 黒田幸治*; 井上徹*; 一色麻衣子*; 内海渉; 舟越賢一*; 浦川啓*; 内田雄幸*; 桂智男*; 大高理*

Irifune, Tetsuo*; Nishiyama, Norimasa*; Kuroda, Koji*; Inoue, Toru*; Isshiki, Maiko*; Utsumi, Wataru; Funakoshi, Kenichi*; Urakawa, Satoru*; Uchida, Takeyuki*; Katsura, Tomoo*; Otaka, Osamu*

Mg $_{2}$ SiO $_{4}$ のスピネルとぺロフスカイト+ペリクレスの相境界をSPring-8放射光とマルチアンビル型高圧装置を用いて、その場X線観察の手段により決定した。1600 $^{circ}C$ における同境界は、21.1GPaあたりにあり、従来の試料急冷回収法による推測より約2GPa低かった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Science
巻	:	279
号	:	5357
ページ数	:	p.1698 - 1700
発行年月	:	1998/03
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	ポストスピネル; Mg $_{2}$ SiO $_{4}$ ; 放射光; 高温; 高圧

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1126/science.279.5357.1698
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
広報プレスリリース	:
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登録番号 : A20020259
抄録集掲載番号 : 301065
論文投稿番号 : 19502

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The Postspinel Phase Boundary in MgSiO Determined by in Situ X-ray Diffraction

その場X線観察により決定されたMgSiOのポストスピネル相境界

The Postspinel Phase Boundary in Mg $_{2}$ SiO $_{4}$ Determined by in Situ X-ray Diffraction

その場X線観察により決定されたMg $_{2}$ SiO $_{4}$ のポストスピネル相境界