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Formation of ultra-thin SiO$$_{2}$$ layer on Si(100) by thermal decomposition of silicon alkoxide

シリコンアルコキシドの熱分解によるSi(100)表面上へのSiO$$_{2}$$超薄膜生成

馬場 祐治  ; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

Si(100)単結晶表面にSiO$$_{2}$$の超薄膜を生成させる新しい方法を提案するとともに、SiO$$_{2}$$層の化学結合状態と膜厚を放射光光電子分光法により測定した。方法は以下の通りである。(1)Si(100)を真空中で80Kに冷却する。(2)テトラメトキシシランを300層吸着させる。(3)Si(100)基板を0.5$$^{circ}$$C/secの速度で400Kまで加熱する。この方法で得られた酸化層の化学状態はSiO$$_{2}$$であること、SiO$$_{2}$$層の膜厚は0.3nmであることを明らかにした。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Photon Factory Activity Report

巻

 :

号

 :

14

ページ数

 :

P. 423

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

SiO$$_{2}$$; Si(100); Silicon Alkoxide; Tetramethoxysilane; XPS; Synchtorton Radiation

特許データ

 :

PDF

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広報プレスリリース

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