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X-ray rocking curve study of the strain profile formed by MeV ion implantation into(111)silicon wafers

111表面をもつシリコン薄板にMeV領域のイオンを照射して形成された歪みの形状のX線回折強度曲線による研究

栗林 勝*; 富満 広; 侘美 克彦*; 井上 哲*; 石田 興太郎*; 相澤 一也  ; 岡安 悟  ; 富田 博文*; 数又 幸生*; Y.C.Jiang*; 田中 弘之*; 加藤 弘之*

not registered; Tomimitsu, Hiroshi; not registered; not registered; not registered; Aizawa, Kazuya; Okayasu, Satoru; not registered; Kazumata, Yukio*; Y.C.Jiang*; not registered; not registered

高エネルギー(80~230MeV)の重イオン(Ni,Cu,Au)を、(111)表面を有するSi単結晶板に打込み(1~50$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$)、結晶中に生じた照射損傷を、X線回折(三結晶法)で観察した。解析は動力学的理論で行い、結晶中の歪み分布を決定した。その結果、結晶表面付近には損傷がなく、深い部分にだけ歪みが生じること、その分布は、「イオン停止位置」(Stopping Powerによる計算)ではなく、むしろ「はじき出し損傷率分布」に近いこと、照射量と歪み分布の大きさが比例すること、等が明らかになった。なお、照射は原研タンデム加速器で、X線回折はKEKのPF等で行った。

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パーセンタイル:37.51

分野:Physics, Applied

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