分子のX線誘起イオン脱離における金属、半導体; 絶縁対基板表面のスクリーニング効果Baba, Yuji; Sekiguchi, Tetsuhiro
固体表面に吸着した分子の光化学反応の動的課程は、吸着分子と基板表面の相互作用に依存する。そこで本研究では、CCl分子を電子物性が大きく異なる金属(Cu),半導体(Si)及び絶縁体(SiO
)表面に単層物理吸着させ、Cl 1s励起によるフラグメントイオンの脱離過程を調べた。Cu及びSi表面では、Cl 1s電子励起による脱離イオン種はCl
のみであったが、SiO表面からはCCl
などの分子イオンの脱離も認められた。これはCClイオンの移動速度が遅いため、金属及び半導体表面では表面における伝導電子の遮蔽効果(スクリーニング効果)により励起状態またはイオン化状態が脱離前に消失してしまうためと結論した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | P. 91 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
キーワード |
: | Screening Effect; Photon-stimulated Desorption; Physisorption; CCl |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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