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Photon-stimulated ion desorption from DCOO/Si(100) nearthe O K-edge

O K殻吸収端近傍におけるDCOO/Si(100)吸着系からの光刺激イオン脱離反応

関口 広美*; 関口 哲弘

Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

我々は炭素原子一つを持つギ酸吸着系(DCOO/Si)において、炭素K殻から3種類の異なる空軌道への遷移の結果、分子軌道が関与した結合が切断されて生じる脱離フラグメントの収量が増加することを既に報告した。本研究においては高分解能軟X線分光器を用いることにより酸素内殻励起領域においてDCOO吸着種の二種類の酸素を選択的に内殻励起し、それぞれの励起で起こる脱離反応収量の違いを調べた。ヒドロキシ酸素(-O-)の励起によりCDO$$^{+}$$イオン収量が増加し、カルボニル酸素(C=O)の励起ではCD$$^{+}$$収量が増加した。このことから非局在効果が大きいと考えられる$$pi$$電子をもつ有機分子吸着系においても選択励起された原子の近傍で優先的に結合切断及び脱離が起こることが明らかにされた。また、基板との相互作用が弱いカルボニル酸素励起の方がO+脱離が顕著であり、相互作用が強いヒドロキシ酸素の励起では脱離が顕著でないといった表面特有効果が見い出された。

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パーセンタイル:45.75

分野:Chemistry, Physical

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