Adsorption structure of formic acid on Si(100) studied by surface NEXAFS

表面NEXAFS法によるSi(100)上のギ酸分子の吸着構造

Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

SiC材料に関連した系であるSi(100)21基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)の構造(結合角)を炭素KVV-オージェ電子収量法によるX線吸収端微細構造(NEXAFS)測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークは吸着フォルメート(HCOO)の分子面外遷移( $^{ast}$ )と3本の分子面内遷移( $^{ast}$ )と帰属された。双極子遷移の選択則からCHO分子面は表面垂直(100方向)に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH $_{3}$ 分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH $_{3}$ )では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O結合にイオン性寄与があることに起因すると示唆された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Surface Science
巻	:	433-435
号	:
ページ数	:	p.549 - 553
発行年月	:	1999/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
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キーワード	:	偏光NEXAFS分光法; オージェ電子収量法; ギ酸; Si(シリコン); 内殻電子励起

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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0039-6028(99)00039-4
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登録番号 : A19980248
抄録集掲載番号 : 271333
論文投稿番号 : 17068

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