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Adsorption structure of formic acid on Si(100) studied by surface NEXAFS

表面NEXAFS法によるSi(100)上のギ酸分子の吸着構造

関口 広美*; 関口 哲弘

Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

SiC材料に関連した系であるSi(100)2$$times$$1基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)の構造(結合角)を炭素KVV-オージェ電子収量法によるX線吸収端微細構造(NEXAFS)測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークは吸着フォルメート(HCOO)の分子面外遷移($$pi$$$$^{ast}$$)と3本の分子面内遷移($$sigma$$$$^{ast}$$)と帰属された。双極子遷移の選択則からCHO分子面は表面垂直($$<$$100$$>$$方向)に対し21$$pm$$2°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH$$_{3}$$分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH$$_{3}$$)では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O$$sigma$$結合にイオン性寄与があることに起因すると示唆された。

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分野:Chemistry, Physical

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