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Photodesorption from mono- and multilayer trimethylsilylfluoride (Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$F) physisorbed on Cu(111) following Si K-shell excitation

Si K殻励起後のCu(111)上に物理吸着した単分子-及び多分子層フッ化トリメチルシリル(Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$F)からの光脱離

関口 哲弘  ; 馬場 祐治  

Sekiguchi, Tetsuhiro; Baba, Yuji

電子励起による固体表面からの脱離過程は基礎的な物理過程の一つである。脱離生成物の種類や収量が吸着環境(基板との相互作用、スタッキング配向度、クラスター分子数など)に敏感であることが知られているがあまり系統的に研究されていない。本研究は銅(111)基板上に単分子及び多分子層Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$Fを吸着させた系についてSi内殻電子励起により起こるイオン脱離過程を調べた。イオン収量の吸着量依存性曲線はそれぞれのイオン種に特徴的であった。CH$$_{3+}$$やF$$^{+}$$は1分子層表面で生じ、多層吸着でも大きな増加は示さない。一方、SiX$$^{+}$$,SiX$$_{3+}$$,SiX$$_{3+}$$,X=CH$$_{3}$$,Fは約3分子層から生じ始め約10分子層まで増加するが、それ以上吸着量を多くしても脱離収量は増えない。(1)金属基板との相互作用による脱励起過程は約3分子層以下で起こること、(2)イオン脱離は常に最上層の10分子層以内から生じることなどが結論された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Photon Factory Activity Report 1998, Part B

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

P. 261

発行年月

 :

1997/11

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Surface Photochemistry; Photon Stimulated Desoprtion; Si(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$F; Cu(111); Core Electron Excitation

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199823003+00279

研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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