Polarization dependence of carbon K-edge NEXAFS spectra of formate on Si(100)

Si(111)上のホルメート分子の炭素K殻NEXAFSスペクトルの偏光依存性

Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

基礎研究及び応用研究、両面からの興味からSi表面と簡単な分子の相互作用は非常に多く研究されている。本研究は放射光の直線偏光特性を利用し、Si(100)2x1基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)のHCOO分子平面の配向角度をX線吸収端微細構造(NEXAFS)の偏光依存性測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークはHCOOの分子面外遷移( $^{ast}$ )と3本の分子面内遷移( $^{ast}$ )とに帰属された。双極子遷移の選択則からHCOO平面は表面垂直(100)方向に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH $_{3}$ 分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH $_{3}$ )では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O結合にイオン性寄与があることに起因する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report 1998, Part B
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 220
発行年月	:	1998/11
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Polarization Dependence; NEXAFS; Auger Electron Yeild; Formic Acid; Si(100); Adsorbate

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論文URL	:	http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199823003+00238
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登録番号 : A19980553
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