The Orientation of chemisorbed formate using -edge photoabsorption spectroscopy

K殻光吸収分光を用いた化学吸着ホルメート分子の配向

Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

SiCやSiO $_{2}$ の薄膜合成に関連して、Si上の簡単な有機物分子の吸着構造や相互作用を調べる研究が数多く行われている。本研究は放射光の直線偏光を利用し、Si(100)2x1基板上の単分子吸着ギ酸の構造(結合角)を光吸収スペクトル(即ち、X線吸収端微細構造(NEXAFS))の偏光依存性を測定することにより調べた。NEXAFSに観測された4本の共鳴ピークは吸着ホルメート基(HCOO)の分子面外遷移( $^{ast}$ )と3本の分子面内遷移( $^{ast}$ )とに帰属された。双極子遷移の選択則からHCOO分子面は表面垂直(100方向)に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験による気相HCOOSiH $_{3}$ 分子の構造及び電子状態に関する情報を用い、吸着種のHCOO面の傾き角の起源を考察した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Atomic Collision Research in Japan, No.24
巻	:
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ページ数	:	p.116 - 117
発行年月	:	1998/11
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キーワード	:	NEXAFS; XANES; Polarization Dependence; Si(100); Formic Acid

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登録番号 : A19980554
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