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Suppressed diffusion of implanted boron in 4H-SiC

4H-SiCにおけるイオン注入ホウ素原子の拡散の抑制

M.Laube*; G.Pensl*; 伊藤 久義

M.Laube*; G.Pensl*; Ito, Hisayoshi

ホウ素(B)をイオン注入した炭化珪素(4H-SiC)半導体において、1700$$^{circ}$$CのアニールによりB原子の外方増速拡散が起こることを実験的に見いだした。また、この増速拡散は、C共注入あるいは900$$^{circ}$$Cでの予備加熱(アニール前熱処理)を行うことで抑制できることが判明した。これらの実験事実は、B原子の増速拡散には格子間Si原子が関与することを示唆している。さらに、SiC単結晶内部に拡散したB原子の深さ方向濃度分布から、B拡散係数の温度依存性D(T)=D$$_{0}$$exp(-E$$_{A}$$/kT):D$$_{0}$$=10$$^{-7}$$cm$$^{2}$$/s,E$$_{A}$$=4.7$$pm$$0.5eVを決定することができた。

no abstracts in English

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パーセンタイル:11.79

分野:Physics, Applied

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