Suppressed diffusion of implanted boron in 4H-SiC

4H-SiCにおけるイオン注入ホウ素原子の拡散の抑制

ホウ素(B)をイオン注入した炭化珪素(4H-SiC)半導体において、1700 $^{circ}$ CのアニールによりB原子の外方増速拡散が起こることを実験的に見いだした。また、この増速拡散は、C共注入あるいは900 $^{circ}$ Cでの予備加熱(アニール前熱処理)を行うことで抑制できることが判明した。これらの実験事実は、B原子の増速拡散には格子間Si原子が関与することを示唆している。さらに、SiC単結晶内部に拡散したB原子の深さ方向濃度分布から、B拡散係数の温度依存性D(T)=D $_{0}$ exp(-E $_{A}$ /kT):D $_{0}$ =10 $^{-7}$ cm $^{2}$ /s,E $_{A}$ =4.70.5eVを決定することができた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Applied Physics Letters
巻	:	74
号	:	16
ページ数	:	p.2292 - 2294
発行年月	:	1999/04
発表会議名	:
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キーワード	:	炭化珪素(SiC); イオン注入; ホウ素(B); アニール(熱処理); 増速拡散; 拡散係数

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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.123828
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InCites™	:	パーセンタイル：86.81 分野：Physics, Applied
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登録番号 : A19980589
抄録集掲載番号 : 270895
論文投稿番号 : 16690

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