検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

宇宙用半導体研究の現状

Study of radiation effects on space semiconductor devices

梨山 勇; 松田 純夫*

Nashiyama, Isamu; Matsuda, Sumio*

TIARAを用いた6年間にわたる宇宙半導体の放射線効果の研究について、その経緯と主な成果を紹介する。まず、Si及びGaAs太陽電池の大線量照射において、前者は突然死を起こすが後者は起こさないこと、得られたデータは人工衛星の寿命予測に貢献したことを述べる。次に、シングルイベント耐性評価手法の開発とこれを用いた宇宙用LSIの試験結果を示す。また、カクテルイオンビーム開発による照射試験能率の大幅な向上にも触れる。重イオンマイクロビームを用いた実験により、SOI基板を用いることでシングルイベント耐性を向上できること、並びに民生部品の宇宙利用に必要な放射線試験についても詳しく述べる。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.