Scattering intensity from crystalline and non-crystalline materials including correlations of thermal displacements of atoms

原子の熱変位に関する結晶及び非晶質からの散乱強度

Sakuma, T.*; not registered; Murakami, A.*; not registered; Ishii, Yoshinobu

非晶質Pd $_{80}$ Si $_{20}$ のX線散乱強度の温度依存性及び非晶質Siの散乱強度を中性子散乱により測定した。またCuI粉末の中性子散乱測定も行った。これらの測定から、波状の散漫散乱強度が観測された。この波状な散乱強度は構成原子であるCuとIの変位に基づくものであると考えており、理論計算とも良く一致する。さらに、この理論が結晶や非晶質にも適応するように一般化を試みた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	High Temp. Mater. Process.
巻	:	18
号	:	1-2
ページ数	:	p.41 - 48
発行年月	:	1999/00
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キーワード	:	散漫散乱; 中性子散乱; X線; 超イオン伝導体

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論文URL	:	https://doi.org/10.1515/HTMP.1999.18.1-2.41
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登録番号 : A19990010
抄録集掲載番号 : 270450
論文投稿番号 : 16305

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