炭化シリコン基板製造の技術開発

Development of growth technique of silicon carbide wafer

原研における耐放射線性半導体開発の一環として進めている立方晶炭化シリコン(SiC)単結晶基板の製造技術開発の概要を解説する。われわれは、化学気相成長(CVD)法を用いたシリコンウェハ上へのSiCエピタキシャル成長の技術課題解決を進め、大型(3インチ径)でかつ平滑な表面と良好な電気特性を有するSiC単結晶基板の合成技術をほぼ確立することができた。本稿では、SiC半導体の特性・特長、単結晶製作技術開発の背景について概説するとともに、原研におけるSiC基板製造技術開発の経緯と特徴、課題解決の例、今後の展開について解説する。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	原子力eye
巻	:	45
号	:	10
ページ数	:	p.66 - 69
発行年月	:	1999/10
発表会議名	:
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開催都市	:
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キーワード	:	炭化シリコン(SiC); 単結晶製造

特許データ	:
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論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/40005191996
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登録番号 : A19990119
抄録集掲載番号 : 271113
論文投稿番号 : 16890

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