Ion desorption from solid ethane following carbon K-edge photoexcitation

炭素K-吸収端の光励起による固体エタンからのイオン脱離

銅単結晶表面に40Kで多層吸着したエタン分子に放射光を照射した時のイオン脱離挙動を調べた。紫外線を多く含むゼロ次光を照射した時の脱離イオンはフラグメントイオン(H $^{+}$ ,CH $_{y+}$ )と親イオン(C $_{2}$ H $_{y+}$ )であった。一方、炭素K-吸収端以上のエネルギーの単色軟X線を照射すると、これらのイオン以外に、C $_{3}$ H $_{y+}$ ,C $_{4}$ H $_{y+}$ 等の質量数の大きいイオンの脱離も観測された。これは、オージェ電子を引き金とする電子衝突カスケードにより局所的に高密度励起状態が生成したためと考えられる。以上の結果は、凝縮系の内殻電子励起により、新たな結合形成が起こることを示している。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report 1998
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 34
発行年月	:	1999/11
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キーワード	:	Photon-stimulated Ion Desorption; Ethane; Carbon K-edge

特許データ	:
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論文URL	:	http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199923003+00064
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登録番号 : A19990146
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