EELS analysis of SiC crystals under hydrogen and helium dual-ion beam irradiation

水素、ヘリウムイオン同時照射下でのSiC結晶のふるまい

Hojo, Kiichi; not registered; Furuno, Shigemi; Kushita, Kohei; not registered; Sasajima, Naohiko*

水素とヘリウムイオンをSiC結晶に照射し、その構造変化を400keV電顕でその場観察した。その結果、室温照射では損傷量が約1dpaで完全に非晶化した。また、電顕付設の透過電子エネルギー損失分光装置をもちいて、それぞれの照射量におけるプラズモン損失量を測定した結果、そのピークが低エネルギー側に約1.2eVシフトすることを見出した。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	141
号	:	1-4
ページ数	:	p.148 - 153
発行年月	:	1998/00
発表会議名	:	Radiation Effects in Insulators-9 (REI-9)
開催年月	:	1997/09
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	SiC; 高分解能EELS; イオン照射; 構造変化

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00181-5
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：89.58 分野：Instruments & Instrumentation
Altmetrics	:

登録番号 : B19970756
抄録集掲載番号 : 261011
論文投稿番号 : 15931

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.