Baba, Yuji; Sekiguchi, Tetsuhiro
電子物性が全く異なる金属、半導体及び絶縁体表面に単層物理吸着したCCl
分子に放射光軟X線を照射した時の解離・脱離反応過程の違いを調べた。絶縁体(SiO
)表面ではCl 1s励起による主な脱離イオン種はCl
及びCCl
であるのに対し、金属(Cu)及び半導体(Si)表面からの脱離イオン種は、Clのみであった。これらの事実とオージェ電子スペクトルの測定結果から次の2点を明らかにした。(1)軽い原子イオン(Cl)の脱離は、表面における伝導電子の遮蔽効果(スクリーニング効果)に影響されない速いCCl結合解裂に起因する。(2)分子イオン(CCl)は質量が大きいため移動速度が遅く、金属、半導体表面ではスクリーニング効果により励起状態(イオン化状態)が消失するため脱離しない。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 433-435 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.843 - 848 |
発行年月 |
: | 1999/00 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1998/08 |
開催都市 |
: | England |
開催国 |
: | |
キーワード |
: | Photon-stimulated Desorption; Inner-shell Excitation; Tetra Chloromethane; Screening; Synchrotron Radiation |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
InCites™ |
: |
パーセンタイル：38.09 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
