Takahashi, Yoshihiro*; Onishi, Kazunori*; Fujimaki, Takeshi*; Yoshikawa, Masahito
線照射したMNOS構造の絶縁膜である窒化膜と酸化膜を斜めにエッチングする技術(傾斜エッチング)を用いて、これら絶縁膜中の固定電荷の深さ方向分布を調べたところ、窒化膜/酸化膜(N/O)界面及び、酸化膜/Si半導体(O/Si)界面におもに電荷が蓄積することがわかった。そこで、これら電荷の蓄積メカニズムについて、MNOS構造のC-V特性から得られるミッドギャップ電圧の照射による変化を用いて調べたところ、N/O界面には正及び負、O/Si界面には正電荷が蓄積すると仮定すると、MNOSの照射効果が十分説明できることがわかった。この蓄積モデルを用いたシミュレーション計算は、実際の実験結果とよく一致する。これらのことから、MNOS構造はSi MOS構造に比較して高い耐放射線性があり、耐放射線性素子を作製する上で重要な素子構造であると結論した。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.10 - 15 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | 3rd International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application |
開催年月 |
: | 1998/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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