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ICRF heating of plasmas with internal transport barrier during reversed magnetic shear experiments in JT-60U

JT-60Uにおける内部輸送障壁を有する負磁気シアプラズマのICRF加熱

岩瀬 誠; 小出 芳彦; 飛田 健次; 森山 伸一; 竹永 秀信; 藤田 隆明; 白井 浩; 草間 義紀; 根本 正博; 及川 聡洋; Kramer, G. J.; 木村 晴行

Iwase, Makoto; Koide, Yoshihiko; Tobita, Kenji; Moriyama, Shinichi; Takenaga, Hidenobu; Fujita, Takaaki; Shirai, Hiroshi; Kusama, Yoshinori; Nemoto, Masahiro; Oikawa, Toshihiro; Kramer, G. J.; Kimura, Haruyuki

ICRF加熱の電子加熱と低粒子補給効果を利用して負磁気シア(RS)プラズマの内部輸送障壁(ITB)の維持に関する研究が行われた。NBI加熱によって生成されたITBを有するRSプラズマを少数イオン第二高調波ICRF加熱で追加熱し、ITBプラズマの維持を試みた。又、ICRF加熱中のNBI加熱パワーを放電ごとにスキャンして、電子加熱及び粒子補給量に対するITBの依存性を調べた。これらの実験結果から以下のことが分かった。(1)電子温度分布における急峻な勾配は電子加熱パワーの割合と共に大きくなる。(2)中心粒子補給量が少ない場合、電子密度のペデスタルは維持できない。更にITB内側のグローバルな閉じ込め解析を行った結果から以下のことが分かった。(1)ITB内側粒子閉じ込め時間は、粒子補給量と共に増加する。(2)少粒子補給時には急峻な電子温度勾配が存在するにも関わらず、粒子閉じ込め時間は通常の正磁気シア放電と同程度である。(3)この少粒子給時には粒子閉じ込めが劣化しているにも関わらず、ITB内側のエネルギー閉じ込め時間の改善は維持されている。

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